[实用新型]一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型属于功率驱动技术领域，具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。

背景技术

随着磁性材料、电力电子器件和数字处理器技术的发展，高性能电机与现代控制技术相结合，使机电伺服技术迅速崛起。功率器件的应用越来越广泛，功率器件的可靠性成为机电伺服技术发展的基础。

现有的MOSFET驱动电路对功率管的打开关断时间不可独立设置，栅极无过压保护，无抑制高频振荡功能。在小功率应用场合，MOSFET功率管运行可靠，未出现故障，但随着机电伺服系统功率级别越来越高，电压、电流、电压变化率、电流变化率都越来越大，电磁环境非常恶劣，现有简单的驱动电路已经不能确保MOSFET功率管可靠运行，需要进一步优化驱动保护电路。

发明内容

本实用新型提供一种MOSFET管打开关断时间可独立设置、防栅极过压、抑制高频振荡的驱动电路，其目的在于提高MOSFET功率管在中大功率机电伺服系统中的运行可靠性。

为达到上述目的，本实用新型所采取的技术方案为：

一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，该电路包括二极管、电阻R₁、电阻R₂和MOSFET功率管；所述二极管的正极与电阻R₁串连，串联后的结构与电阻R₂并联；电阻R₁和电阻R₂的公共端与MOSFET功率管的栅极G连接；所述MOSFET功率管的源极S接地。

所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有稳压管。

所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有电容。

所述稳压管为+15V稳压管。

本实用新型所取得的有益效果为：

（1）本实用新型通过在驱动电路上采用二极管和电阻的串并联网络实现了MOSFET功率管的打开关断时间独立设置，可综合考虑MOSFET功率管的高频损耗和开关损耗，减小MOSFET功率管的发热，提高其运行可靠性；

（2）本实用新型通过在MOSFET功率管栅源极间并联稳压管，可使电压尖峰快速从稳压管流向地，防止栅极过电压损坏；

（3）本实用新型通过在MOSFET功率管栅源极间并联电容，改变驱动电路阻抗特性，防止高频振荡。

附图说明

图1为本实用新型所述防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路结构图；

图中：1、二极管；2、电阻R₁；3、电阻R₂；4、稳压管；5、电容；6、MOSFET功率管；a、驱动信号。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

如图1所示，本实用新型所述防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路包括二极管1、电阻R₁2、电阻R₂3、稳压管4、电容5和MOSFET功率管6；所述二极管1的正极与电阻R₁2串连，串联后的结构与电阻R₂3并联；电阻R₁2和电阻R₂3的公共端与MOSFET功率管6的栅极G连接，当驱动信号a为正时，通过电阻R₂3打开MOSFET功率管6，当驱动信号a为负时，通过二极管1、电阻R₁2和电阻R₂3组成的串并联电路关断MOSFET功率管6，可以实现在不增加高频损耗的情况下减小MOSFET管关断时间，降低关断损耗；所述稳压管4并联在MOSFET功率管6的栅极G与源极S之间，一旦MOSFET功率管6的栅极电压超过稳压管4的值，可使电压尖峰快速从稳压管4流向地，防止栅极G过电压损坏；所述电容5并联在MOSFET功率管6的栅极G与源极S之间，通过改变驱动电路阻抗特性，防止高频振荡，确保MOSFET功率管6可靠运行；所述MOSFET功率管6的源极S接地。所述稳压管为+15V稳压管。