[实用新型]DRAM阵列

权利要求书

1.一种DRAM阵列，包括： 

一对单元，每个单元都包括存取晶体管和电容器，所述存取晶体管具有限定了沟道区域的n型源极/漏极区域，第一对单元中的每个存取晶体管的一个源极/漏极区域连接到用于提供与位线的连接的公共过孔接触部，每个存取晶体管的另一源极/漏极区域通过由n型源极/漏极区域限定的公共沟道区域而与邻近单元对中的存取晶体管的其它源极/漏极区域分隔开； 

存取字线，所述存取字线大体上垂直于所述位线而延伸，每条存取字线在存取晶体管的沟道区域之上延伸，所述存取字线包括具有有利于n沟道器件的功函数的材料；以及 

虚设字线，所述虚设字线大体上垂直于所述位线而延伸，每条虚设字线在所述公共沟道区域中的一个之上延伸，所述虚设字线包括具有有利于p沟道器件的功函数的材料。 

2.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述虚设字线的所述功函数大约为4.8-5.1eV。 

3.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述虚设字线耦合到相对于衬底电势的负电势。 

4.根据权利要求1所述的DRAM阵列，包括过孔接触部，所述过孔接触部连接到所述存取晶体管的所述另一源极/漏极区域，用于提供与上覆电容器的连接。 

5.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述位线是设置在所述阵列中的所述单元对之上的金属线。 

6.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述电容器设置在所述位线之上。 

7.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述存取晶体管的所述沟道区域与它们的源极/漏极区域成角度。 

8.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中所述源极/漏极区域、存取晶体管沟道区域和公共沟道区域由大体上垂直于所述字线设置的连续蜿蜒形半导体主体形成。 

9.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中每个单元都具有大约6F²的面积。 

10.一种DRAM阵列，包括： 

一对单元，每个单元都包括存取晶体管和电容器，所述存取晶体管具有限定沟道区域的n型源极/漏极区域，第一对单元中的每个存取晶体管的一个源极/漏极区域连接到用于提供与位线的连接的公共过孔接触部； 

存取字线，所述存取字线大体上垂直于所述位线而延伸，每条存取字线在存取晶体管的沟道区域之上延伸，所述存取字线包括具有有利于n沟道器件的功函数的材料；以及 

其中所述存取晶体管的所述沟道区域与它们的源极/漏极区域成角度。 

11.根据权利要求10所述的DRAM阵列，其中当所述存取字线被取消选择时，所述存取字线保持在相对于衬底电势的负电势。 

12.根据权利要求10所述的DRAM阵列，其中所述存取字线由具有大约在4.0eV至4.2eV之间的功函数的金属制造。 

13.根据权利要求10所述的DRAM阵列，其中每个存取晶体管的另一源极/漏极区域通过由n型源极/漏极区域限定的公共沟道区域而与相邻单元对中的存取晶体管的其它源极/漏极区域分隔开，并且包括大体上垂直于所述位线延伸的虚设字线，每条虚设字线在所述公共沟道区域中的一个 公共沟道区域之上延伸，所述虚设字线包括具有有利于p沟道器件的功函数的材料。 

14.根据权利要求13所述的DRAM阵列，其中所述虚设字线的所述功函数大约为4.8-5.1eV。 

15.根据权利要求10所述的DRAM阵列，包括过孔接触部，所述过孔接触部连接到所述存取晶体管的所述另一源极/漏极区域，用于提供与上覆电容器的连接。 

16.根据权利要求10所述的DRAM阵列，其中所述位线是设置在衬底之上的金属线。 

17.根据权利要求10所述的DRAM阵列，其中所述电容器设置在所述位线之上。