[实用新型]一种晶体生长炉有效
| 申请号： | 201220299670.4 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN202658265U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 毛念新;严仲君;黄翔鄂;王新征 | 申请（专利权）人： | 上海嘉森真空科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 金碎平 |
| 地址： | 201812 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体生长炉，包括密封固定在腔体（4）内的坩埚（7）和主加热器（6），所述主加热器（6）设在坩埚（7）的外面，所述坩埚（7）和主加热器（6）外设有隔热屏，其特征在于，所述主加热器（6）通过钨环（2）和钨棒电极（1）的一端相连，所述钨棒电极（1）的另一端与腔体（4）上的水冷电极（9）相连。
2.如权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚（7）顶部设有盖屏（5），底部通过支撑柱（12）上，所述坩埚（7）的底部还设有辅助加热器（10），所述主加热器（6）为鼠笼式钨杆加热器，所述辅助加热器（10）位于主加热器（6）的外面，所述辅助加热器（10）通过钨棒电极（1）与腔体（4）上的水冷电极（9）相连。
3.如权利要求2所述的晶体生长炉，其特征在于，所述钨棒电极（1）的一端用钼螺栓紧固或焊接在钨环（2）上；所述钨环（2）为两个半圆环，每个半圆环上连接有多个均匀分布的钨棒电极（1）。
4.如权利要求3所述的晶体生长炉，其特征在于，每个半圆环上连接的钨棒电极（1）的数目为三个。
5.如权利要求1～4任一项所述的晶体生长炉，其特征在于，所述钨棒电极（1）截面为圆形或矩形。
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