[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及低温多晶硅高级超维场转换显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD）可分为多晶硅（Poly-Si，P-Si）TFT-LCD与非晶硅（a-Si）TFT-LCD，两者的差异在于电晶体特性不同。P-Si的分子结构在一颗晶粒（Grain）中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了200-300倍。P-Si产品主要包含高温多晶硅（HTPS）与低温多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon，LTPS）两种产品。

LTPS技术是新一代的TFT显示器制造流程，主要是通过准分子激光退火工艺（Excimer Laser Anneal）将a-Si薄膜转变为P-Si薄膜层。LTPS LCD具有更快的响应时间，更高的分辨率，因此具有更佳的画面显示品质。在形成显示装置外围的电路时使用LTPS技术，能够减少集成电路（IC），简化显示装置的外围，进而实现窄边框技术。

高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，ADS）是平面电场宽视角核心技术，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率，并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，应用高级超维场转换技术的TFT-LCD具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、以及无挤压水波纹（Push Mura）等优点。

低温多晶硅LTPS LCD结合平面电场宽视角技术由于其较佳的品质，产品覆盖智能手机、平板电脑（PAD）、数码像机、笔记本电脑、汽车导航系统等多种高端智能移动互联产品。

传统的LTPS ADS TFT-LCD阵列基板的结构示意图如图1所示，包括：玻璃基板101、缓冲层（Buffer Layer）102、存储电容的第一电极103（通过掺杂P-Si层形成，掺杂降低了P-Si的电阻，该部分与栅电极层的公共电极形成电容）、P-Si层104、金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor，MOS）电路的轻掺杂漏极（Lightly Doped Drain，LDD）部分105、CMOS掺杂部分106、栅极绝缘层107、栅电极108、存储电容的第二电极109、层间绝缘层110、源电极118、漏电极111、第二绝缘层112、过孔113、连接电极114、公共电极115（透明的氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO）、钝化层116、以及像素电极（透明的氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO）117。其中，存储电容的第一电极103、MOS电路的LDD部分105以及掺杂部分106均形成在P-Si层104，通过对将要形成存储电容的第一电极的位置处的P-Si进行掺杂形成该存储电容的第一电极103，其与公共电极存储电容部分109之间形成的LTPS额外的存储电容用于补偿原有存储电容的不足。像素电极117与公共电极部分115之间形成ADS技术中的多维电场。

上述阵列基板的制备工艺如下：

A1.在玻璃基板101上沉积缓冲层102，在缓冲层102上面沉积a-Si层，通过多晶硅工艺将a-Si层转化为P-Si层104；经过第一次光罩（Mask）工艺制作多晶硅层孤岛；

A2.经过第二次光罩工艺和掺杂工艺制作存储电容的第一电极103，此过程中要求掺杂需要浓度高、电阻较低；

A3.在P-Si层104上方沉积栅极绝缘层107；

A4.在栅极绝缘层107上方沉积栅极金属层，通过第三次光罩工艺、刻蚀和掺杂工艺，对周边GOA区域的PMOS部分的栅极构图，并进行PMOS掺杂（图中未标出）；

A5.通过第四次光罩工艺、刻蚀和掺杂工艺，对GOA区域和像素区域的NMOS部分的栅极进行构图（包括栅电极108和存储电容的第二电极109），形成MOS电路的LDD部分105；

A6.对像素区域和GOA区域进行NMOS掺杂，掺杂后像素区域形成掺杂部分106；

A7.在栅极金属层上方沉积层间绝缘层110，通过第五次光罩工艺制作接触孔；

A8.沉积源漏电极层，并通过第六次光罩工艺形成源电极118和漏电极111；

A9.在源漏电极层上方涂覆有机树脂材料以形成该第二绝缘层112，通过第七次光罩工艺形成过孔113；