[实用新型]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容的所述第一电极为与所述公共电极层同材料的金属电极。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述多晶硅层在同一层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的栅极绝缘层设置在所述栅电极层以及所述多晶硅层之间。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅层包括：互补金属氧化物半导体CMOS掺杂区以及轻掺杂漏极区。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括层间绝缘层以及所述源漏电极层，所述层间绝缘层设置在所述栅电极层上方，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层上方。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极层包括源电极、漏电极以及连接电极，所述连接电极一端连接所述CMOS掺杂区，另一端连接所述存储电容的第一电极。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的钝化层设置在所述源漏电极层与所述像素电极层之间，所述像素电极层通过过孔与所述漏电极连接。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。