[实用新型]多晶广角发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型是有关一种多晶广角发光二极管，尤指一种以单一透镜运用夹角区域的微结构，使所形成的光型具有广角且出光均匀的功效。

背景技术

发光二极管的发光效率粗略来区分，可分为内部效率与外部效率。内部效率指的是芯片内部的发光效率，外部效率则是光线穿透出来后，经过透镜(Lens)前后的比值。

次者，一颗发光二极管芯片的功率(瓦)有其极限，因此有时为达所需功率须设置多颗芯片。如图1A、1B所示，现有一种多晶发光二极管70，其是在一反射杯71内设有多颗LED芯片72，然后再以一个透镜73予以封装。但查，此种多芯片单一圆形透镜的封装结构，其光形为聚光光形(Lambertian Distribution)，无法达到大于120度的广角需求。当然，其均匀度亦是一项问题点。

针对上述问题，工业技术研究院在其公开201025658号专利中，揭示一种多晶发光二极管80，其封装构造如图2A、图2B所示，包括一反射杯81；数个发光芯片82，位于该反射杯81内；及对应每一发光芯片82设有一个透镜83。但查，一芯片一透镜的封装体其加工上更为繁复，且两个透镜间仍然会存有空隙，进而影响整颗发光二极管80的出光均匀度。

再者，发光二极管封装体若未作特殊的光学设计，大致会形成约为120度的出光角度，无法达成特殊业者所需求大于120度的广角照射面积。是以，上述的现有发光二极管70或80，纵使其为多芯片，也只能提升发光「功率」，但仍无法增加其出光的角度。

光宝公司(Lite-on)其中国台湾公开201105901号专利中，揭示一种如图3所示的发光二极管的封装结构，其封装体90上方形成一内凹弧面91，使发光芯片92所发出的光经过该内凹弧面91时发生折射，并沿着内凹弧面91的下凹轮廓有着不同程度的光线发散，使其光形分布为蝙蝠翼形(Batwing Contribution)。但查，内凹弧面设计对于单一发光芯片92或许有改变光形的功能，但如使用多芯片，则光形及均匀性仍有其疑虑。

由上可知，多晶发光二极管在产业上已有诸多应用，而对于其外部效率的提升，仍是业者所欲突破及克服。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种多晶广角发光二极管，其具有以单一透镜运用夹角区域的微结构，使所形成的光形具有广角且出光均匀的功效。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种多晶广角发光二极管，包括：

一基板，具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极；一反射杯体，形成于该基板上；至少二颗发光芯片，设在该导热部而位于该反射杯体内部；一封胶层，设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆；以及一透镜，设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘，且其中间顶面形成凹入部；其特征在于：该凹入部的断面呈V形沟，且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角(θ)的区域内，至少在对应于该发光芯片的位置，设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。

而，前述所述夹角(θ)定义为以该基板及透镜的中心向上发散所形成的尖圆锥形范围。

依据本实用新型上述特征，该微结构设在该V形沟表面上，且其可包括设在该V形沟的一部分表面或全部表面；又该微结构的形状及分布区域，可依该发光芯片的数量及位置所设制而成；再者该微结构包括：粗糙面、波浪状及锯齿状其中任一种。

又本实用新型的该微结构除可设在该V形沟表面外，亦可设在V形沟表面该与夹角(θ)之间所涵括的透镜区域(Z)。

进一步，本实用新型的反射杯体的杯深为0.20～0.5um为较佳。且该透镜为对称的圆形体为较佳，但不限定于此。在一最佳实施例中，该圆形透镜最外缘半径(R1)为最高点半径(R2)的1.1～2.5倍，该V形沟最高点高度(H1)为中间最凹点高度(H2)的4.5～9.5倍。

据此，本实用新型所揭露的多晶广角发光二极管，克服了图1至图3现有发光二极管的问题点，具有能以单一透镜封装多芯片，且运用单一透镜的V形沟夹角区域的微结构，使所形成的光形具有广角且出光均匀的功效。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1A及图1B是现有一种多晶发光二极管的结构示意图。

图2A及图2B是201025658号发光二极管的结构示意图。

图3是201105901号发光二极管的结构示意图。

图4A是本实用新型较佳实施例的俯视图。

图4B是本实用新型较佳实施例的剖视图。