[实用新型]多晶广角发光二极管

权利要求书

1.一种多晶广角发光二极管，包括：

一基板，具备导热部及设于导热部侧边的正、负电极；

一反射杯体，形成于该基板上；

至少二颗发光芯片，设在该导热部而位于该反射杯体内部；

一封胶层，设置于该反射杯体内部而将该发光芯片予以包覆；以及

一透镜，设置于该反射杯体与该封胶层的顶缘，且其中间顶面形成凹入部；

其特征在于：

该凹入部的断面呈V形沟，且沿着该V形沟轮廓下方小于80度的透镜夹角(θ)的区域内，至少在对应于该发光芯片的位置，设有使该发光芯片所发出的光线折射的微结构。

2.根据权利要求1所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述夹角(θ)定义为以该基板及透镜的中心向上发散所形成的尖圆锥形范围。

3.根据权利要求2所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述微结构设在该V形沟表面上，且其包括设在该V形沟的一部分表面或全部表面。

4.根据权利要求3所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述微结构的形状及分布区域，是依该发光芯片的数量及位置所设制而成。

5.根据权利要求4所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述微结构包括：粗糙面、波浪状及锯齿状其中任一种。

6.根据权利要求2所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述微结构设在该V形沟与该夹角(θ)之间所涵括的透镜区域(Z)。

7.根据权利要求1所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述反射杯体的杯深为0.20～0.5mm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的多晶广角发光二极管，其特征在于，所述透镜为对称的圆形体，其最外缘的半径(R1)为最高点的半径(R2)的1.1～2.5倍，且该透镜最高点的高度(H1)为该V形沟最凹点的高度(H2)的4.5～9.5倍。