[实用新型]一种超薄非接触模块用载带有效

专利信息
申请号: 201220265613.4 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN202651109U 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 杨辉峰;蒋晓兰;唐荣烨;马文耀 申请(专利权)人: 上海长丰智能卡有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 刘粉宝
地址: 201206 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 超薄 接触 模块 用载带
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及微电子半导体封装技术领域,特别涉及用于非接触智能卡模块封装技术领域。

背景技术

随着集成电路封装技术的不断进步,集成电路的集成度日益提高,功能越来越丰富。对于不断出现的新应用需求,要求集成电路封装企业能设计出新型的封装形式来配合新的需求。

目前,传统的载带采用常规的蚀刻制作工艺或者冲压制作工艺完成,采用此载带所制成的非接触模块的厚度为300um-400um,其无法满足特殊的应用需要,如护照电子标签、签证电子标签等应用,传统的非接触模块不能有效发挥其作用,势必需要通过新的超薄的非接触模块形式来实现。因此,超薄的非接触模块载带的开发迫在眉睫。

目前的非接触模块所应用的领域局限于智能卡及普通的智能标签中,而对于超薄的非接触模块可以克服厚度超标的问题,应用于各种高要求的、苛刻的环境中,目前在国际上都是空白。

实用新型内容

本实用新型针对现有载带由于厚度过厚所制成的非接触模块无法满足特殊的应用需求的问题,而提供一种超薄非接触模块用载带。基于该载带能够形成超薄的非接触模块,以满足特殊的应用需求。

为了达到上述目的,本实用新型采用如下的技术方案:

一种超薄非接触模块用载带,所述载带上具有芯片承载区域和若干焊线区域,所述载带的厚度为0.075-0.085mm。

在本实用新型的优选实例中,所述载带上的芯片承载区域相对载带表面内凹,其厚度为0.025-0.045mm。

进一步的,所述若干焊线区域对称分布在芯片承载区域两端。

再进一步的,所述芯片承载区域两端的焊线区域呈连续台阶状结构。

进一步的,所述芯片承载区域的四周分布有若干封装用通孔。

再进一步的,所述通孔上近芯片承载区的边缘为半蚀刻结构。

再进一步的,所述通孔上半蚀刻结构的厚度为0.025-0.045mm。

根据上述方案形成的超薄非接触模块用载带,可广泛应用于各类超薄型电子标签等,极大地推动全球超薄型电子标签的发展,适合各个不同使用领域的需求,具有更好的应用前景。

本实用新型提供的载带采用特殊的结构有效解决了由于载带厚度过薄,无法直接封装形成非接触模块的问题。

同时,利用本实用新型提供的载带所制成的非接触模块在总体厚度上可达到0.26mm,既能够与现有非接触模块标签达到通用标准,又能够满足特殊的应用需要,如护照电子标签、签证电子标签等应用。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本实用新型。

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型的A-A剖面示意图;

图3为本实用新型的B-B剖面示意图;

图4为本实用新型封装示意图;

图5为本实用新型封装后的截面图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。

参见图1,本实用新型提供的超薄非接触模块用载带100采用蚀刻与冲压工艺结合的方式制作,并且其厚度为0.075-0.085mm。其上设置有芯片承载区域101和若干焊线区域102。

为了减少后道总体封装厚度,载带采用蚀刻工艺将芯片承载区域101设置成凹陷结构,并芯片承载于此凹陷结构中,并且此芯片承载区域经过蚀刻后的厚度为0.025-0.045mm。

对于芯片承载区域101的设置位置,可根据实际的需求而定。如图1所示,本实用新型中将芯片承载区域101设置在载带100的中间位置,但并不限于此。

本实用新型将芯片承载区域101设置为上半部分蚀刻,这样既能够在贴芯片时减少其总厚度,又可以在模塑封装时模塑料与载带结合部分,用模塑料将载带扣住。

在本实用新型中,若干焊线区域102对称分布在芯片承载区域101的上下两端,但是并不限于此。

由于载带整体较薄,在封装时与模塑料的结合力不够,无法正常封装。如图3所示,为了增强后道封装时的模塑料与载带的结合力,本实用新型将载带采用冲压工艺将焊线区域设置为连续的桥式台阶状结构。

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