[实用新型]不透光晶圆的劈裂取像结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及劈裂晶圆（wafer，晶片）的晶圆劈裂机，尤其是涉及晶圆劈裂机的劈裂取像结构。 

背景技术

请参阅图1与图2所示，晶圆劈裂机1用于将晶圆2劈裂为一粒粒的晶粒，以进行后续的封装作业，晶圆2在进行劈裂之前，会先用激光切割出横向与纵向的预切线3，接着将晶圆2贴附一蓝膜4加以固定后，通过一固定夹具5送入一晶圆劈裂机1进行劈裂作业。 

晶圆劈裂机1包含一晶圆固定座6、一悬臂杆7、一劈刀8、一图像获取元件9、一压制元件10与一照明光源11，该晶圆固定座6夹置该固定夹具5，并可作平面方向的移动与转动，该劈刀8固定于该悬臂杆7上且设于该晶圆2的上方，以进行劈裂作业，且在进行劈裂作业时，为利用该压制元件10抵压该晶圆2，以避免晶圆2翘曲，而该照明光源11则可一体连接设置于该压制元件10上，其用于产生成像光源（图未示）照射该晶圆2，以穿透晶圆2，而该图像获取元件9则设于该晶圆2的下方，为用于获取该晶圆2的图像，以得知该晶圆2的位置。 

据而该晶圆2可通过该晶圆固定座6的位移与该图像获取元件9对该晶圆2的取像而进行定位，而在定位完成之后，即可通过该劈刀8的上下位移与该晶圆固定座6的定量位移，对多个预切线3连续进行劈裂，而该图像获取元件9则在连续劈裂过程中，持续监控该预切线3的定位是否偏 移，以视偏移的程度补偿定位，而当横向与纵向的预切线3皆被劈裂之后即完成劈裂作业。 

业界为了增加发光二极管的亮度，而改变晶圆制程，如在晶圆2利用激光切割出横向与纵向的预切线3之前，背镀反射金属（图未示），以利用反射金属具反射光的特性，使发光二极管所产生的光朝同一方向射出，因而可增加光取出效率，提高发光二极管的亮度。 

然而在晶圆2背镀反射金属之后，其利用图像获取元件9获取图像时，此时由于晶圆2不透光，因此设于晶圆2上方的照明光源，所产生的成像光源入射该晶圆2之后，无法穿透反射金属，被设于晶圆2下方的图像获取元件9取像，换句话说，对于背镀金属的晶圆2来说，无法利用图像获取元件9在连续劈裂过程中监控该预切线3的定位是否偏移，因而大大的减少晶圆2劈裂的良率。 

实用新型内容

因此，本实用新型的主要目的在于提供一种不透光晶圆的劈裂取像结构，以应用于不透光晶圆的劈裂作业。 

经由以上可知，为达上述目的，本实用新型为一种不透光晶圆的劈裂取像结构，该不透光晶圆的劈裂取象结构安装在一晶圆劈裂机上，用于对经过背镀处理而不透光的一晶圆进行取像，该晶圆劈裂机具有固定该晶圆的一晶圆固定座、一悬臂杆及固定在该悬臂杆上的一劈刀，该劈裂取像结构包含一上图像获取元件、一压制元件与一发光元件，其中该上图像获取元件固定于该悬臂杆上，该压制元件抵压该晶圆，该发光元件设置于该晶圆的一侧的上方，且该上图像获取元件位于该晶圆的另一侧的上方，并该发光元件产生一成像光源入射该晶圆，并反射至该上图像获取元件，并且该压制元件具有供该成像光源通过的至少一开槽。 

进一步地，发光元件设置在压制元件上。 

进一步地，压制元件具有供劈刀通过的一劈裂槽，且至少一开槽为两个开槽，并一体成型设于劈裂槽的两侧。 

进一步地，两个开槽为上宽下窄的形状而分别形成供成像光源掠过的一斜面。 

进一步地，发光元件包含一发光二极管灯条、一载板及一散热片，发光二极管灯条与散热片分设于载板的两侧，且散热片连接压制元件。 

进一步地，劈裂取像结构还包含一下图像获取元件，下图像获取元件设于晶圆的正下方。 

据此，该上图像获取元件与该发光元件均设置于该晶圆的上方，并该发光元件所产生的成像光源在入射该晶圆后，会反射至该上图像获取元件，因此该上图像获取元件可对该晶圆取像，也即可以掌握该晶圆的位置，在连续劈裂过程中监控该晶圆的定位是否偏移，因而大大的增加晶圆劈裂的良率。 

附图说明

图1为已知晶圆的结构图。 

图2为已知晶圆劈裂机结构图。 

图3为本实用新型晶圆劈裂机立体结构图。 

图4A为本实用新型晶圆劈裂机局部剖视图。 

图4B为本实用新型图4A局部放大图。 

具体实施方式

为使对本实用新型的特征、目的及效果，有着更加深入的了解与认同，兹列举优选实施例并配合图式说明如后：