[实用新型]功率型LED封装用支架

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管封装技术，特别是涉及一种功率型LED封装支架。

背景技术

为了提高LED芯片的散热效率和发光效率，目前功率型LED芯片普遍采用垂直结构，包括直接在导电导热衬底（如碳化硅、硅）上制备LED芯片，以及在其他衬底（如蓝宝石）上制备外延层后剥离生长衬底并转移至新的导电导热衬底（如硅衬底、金属衬底等）上。垂直结构的功率型LED芯片顶面为第一电极，底面为第二电极。高亮度、高散热要求和区别于传统芯片的结构使得功率型LED芯片对封装有了更高的要求。出于散热的要求，功率型LED封装在支架底部设有大面积的金属热沉，热沉上设有支撑芯片的柱状凸起。芯片的顶面和柱状凸起的表面分别通过焊线连接到第一电极引脚和第二电极引脚。传统的功率型LED封装用支架中采用一体成型的铜柱作为热沉和支撑芯片的柱状凸起，芯片发出的热量可以有效的传递到热沉上，有效地提高了散热效率，但是支架底部的热沉与第二电极引脚直接导通，没有实现热电分离。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种功率型LED封装支架，该支架可以使支架的散热部分与电路部分高度绝缘，实现热电分离。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。

优选地：所述热沉的材料为铜。

优选地：所述柱状凸起为铜柱。

优选地：所述陶瓷层为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。

本实用新型的有益效果：

与现有技术相比，本实用新型在芯片底面与支架的底面之间设置导热绝缘层，使得支架底面不再与第二电极引脚导通，实现了热电分离，提高了支架的可靠性并且便于散热设计。

附图说明

图1是现有技术的结构图。

图2是实施例一的结构示意图。

图3是实施例二的结构示意图。

图4是实施例三的结构示意图。

图中标识说明：

支架10，壳体 11，热沉 12，柱状凸起 13，LED芯片 14，第一电极引脚 15，第二电极引脚 16；

支架 20，壳体 21，热沉 22，柱状凸起 23，LED芯片24，第一电极引脚25，第二电极引脚 26，上导热电绝缘陶瓷层 27；

支架 30，壳体 31，热沉 32，柱状凸起 33，LED芯片 34，第一电极引脚35，第二电极引脚 36，下导热电绝缘陶瓷层 38；

支架 40，壳体 41，热沉 42，柱状凸起 43，LED芯片 44，第一电极引脚45，第二电极引脚 46，上导热电绝缘陶瓷层 47，下导热电绝缘陶瓷层 48。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。

本实用新型公布了一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。

图1为现有技术的结构图，支架10底部设有大面积的金属热沉12，热沉12上方设有支撑芯片的柱状凸起13，垂直结构的功率型LED芯片14底面焊在柱状凸起13的顶面上。第一电极引脚15和第二电极引脚16分别位于壳体11两侧，引脚的上端分别埋于壳体内形成接线部。壳体11顶面设有凹槽，柱状凸起13位于凹槽内。所述凹槽底面设有通孔并暴露接线部，芯片的顶面通过焊接金线连接到第一电极引脚的接线部，柱状凸起13的顶面焊线连接到第二电极引脚的接线部。采用一体成型的铜柱作为热沉12和支撑芯片的柱状凸起13。

本实用新型的实施例一如图2所示，区别于现有技术，在热沉22的上表面与柱状凸起23的下表面之间设有上导热绝缘陶瓷层27，热沉22与柱状凸起23通过上导热绝缘陶瓷层27隔离绝缘。陶瓷层的良好电绝缘性使得热沉22不再与第二电极引脚26导通，耐压可达到数万伏；同时陶瓷层的高导热性使得柱状凸起与热沉之间的热量传递不受影响。

本实用新型的实施例二如图3所示，区别于实施例一，采用一体成型的铜柱作为热沉32和支撑芯片的柱状凸起33，并在热沉32的下表面设有下导热绝缘陶瓷层38。陶瓷层覆盖热沉32的下表面，使得热沉32和基板（未画出）之间为高度绝缘状态。