[实用新型]高压BCD工艺中高压器件的隔离结构有效
| 申请号： | 201220247475.7 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN202616219U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;张邵华;江宇雷;孙样慧;俞国强 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 bcd 工艺 器件 隔离 结构 | ||
1.一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，包括：
具有第一掺杂类型的半导体衬底；
具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；
具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级；
场氧化层，位于所述隔离区上。
2.根据权利要求1所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述高压器件在击穿时所述隔离区和所述高压器件所在的外延岛电荷完全耗尽，所述外延岛指的是相邻隔离区之间的外延层。
3.根据权利要求1所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述场氧化层的厚度为
4.根据权利要求1或3所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述外延层为叠层结构。
5.根据权利要求4所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述外延层为2层的叠层结构，包括相叠的第一外延层和第二外延层。
6.根据权利要求5所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述第一外延层的厚度为3.0~15.0μm，电阻率为1.0~10Ω·cm；所述第二外延层的厚度为3.0~15.0μm，电阻率为1.0~4.0Ω·cm。
7.根据权利要求1所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。
8.根据权利要求7所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，还包括：
具有第一掺杂类型的隔离表面区，位于所述场氧化层下的外延层表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
