[实用新型]用于功率驱动的电路

说明书

技术领域

本实用新型总体上涉及功率驱动器电路及其操作，并且具体地，涉及用于控制功率驱动器的输出电压斜率的装置。 

背景技术

参考图1，其示出了功率驱动器电路100的电路图。电路100包括高侧驱动器102和低侧驱动器104。高侧驱动器102的输出耦合至负载108的高侧节点106。低侧驱动器104的输出耦合至负载108的低侧节点110。在图1的示例性实现中，负载108是AMOLED类型的显示面板，并且高侧节点106和低侧节点110是用于该显示面板的供电节点(Va和Vb)。然而将会理解，负载108可以包括从高侧和低侧二者驱动的任何适当负载。 

高侧驱动器102包括一对串联连接的晶体管120和122。晶体管120和122是通过其源-漏路径串联耦合的n沟道MOSFET类型。将会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对n沟道MOSFET器件的参考仅仅是示例性的优选实现。可以代之以使用p沟道MOSFET、n沟道和p沟道MOSFET的组合、双极器件和/或IGFET类型器件。 

晶体管120包括耦合至第一供电节点124的传导(漏)端子以及耦合至高侧节点106的传导(源)端子。晶体管120的控制(栅)端子耦合至第一控制节点126。晶体管122包括耦合至高侧节点106的传导(漏)端子以及耦合至第二供电节点128的传导(源)端子。晶体管122的控制(栅)端子耦合至第二控制节点130。 

低侧驱动器104包括一对串联连接的晶体管140和142。晶体管140和142是通过其源-漏路径串联耦合的n沟道MOSFET类型。将 会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对n沟道MOSFET器件的参考仅是示例性的优选实现。可以代之以使用p沟道MOSFET、n沟道和p沟道MOSFET的组合、双极器件和/或IGFET类型器件。 

晶体管140包括耦合至第三供电节点144的传导(漏)端子以及耦合至低侧节点110的传导(源)端子。晶体管140的控制(栅)端子耦合至第三控制节点146。晶体管142包括耦合至低侧节点110的传导(漏)端子以及耦合至第四供电节点148的传导(源)端子。晶体管142的控制(栅)端子耦合至第四控制节点150。 

第一供电节点和第三供电节点124和144优选地被耦合以接收高供电电压(例如，Vdd1和Vdd2)。这些例如可以是不同的高供电电压或相同的高供电电压，这取决于电路应用。 

第二供电节点和第四供电节点128和148优选地被耦合以接收低供电电压。这些例如可以是不同的低供电电压或相同的低供电电压(例如，地)，这取决于电路应用。 

现在参考图2，其示出高侧节点106(电压信号Va)和低侧节点110处的电压信号(电压信号Vb)的电压波形。这些波形针对图1的示例性实现，其中负载108是AMOLED类型的显示面板。然而将会理解，具有相似形状和定时的高和低侧波形可以用于其他类型的负载。 

在与重置显示面板108(AMOLED类型的)相关联的时间段中，通过分别向晶体管120、122、140和142的第一、第二、第三和第四控制节点126、130、146和150应用适当的控制信令来控制高侧驱动器102和低侧驱动器104，以下拉由参考标号160指示的高侧节点106的电压(电压信号Va)。当高侧节点106处的电压(电压信号Va)返回高时，重置时间段结束。在与初始下拉高侧节点106处的电压相关联的第一时间段t1期间，控制向下的电压斜率是重要的。特别地，需要以这样的方式来控制斜率：确保在功率驱动操作期间不引入电压/电流尖峰。 

在与显示面板负载108(AMOLED类型)中的发光相关联的时 间段期间，通过分别向晶体管120、122、140和142的第一、第二、第三和第四控制节点126、130、146和150应用适当的控制信令来控制高侧驱动器102和低侧驱动器104，以下拉由参考标号162指示的低侧节点110处的电压(电压信号Vb)。当低侧节点110处的电压(电压信号Vb)返回高时，发光时间段结束。在与初始下拉低侧节点110处的电压相关联的第二时间段t2期间，控制向下的电压斜率是重要的。特别地，需要以这样的方式来控制斜率：确保在功率驱动操作期间不引入电压/电流尖峰。 

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