[实用新型]晶圆测试装置

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及晶圆测试领域，特别涉及一种晶圆测试装置。

【背景技术】

在芯片制造流程上，主要可分为IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。

晶圆初始通常为4英寸，6英寸，8英寸，12英寸等直径规格的圆形硅片。在晶圆制程阶段，会在晶圆上形成紧密规则分布的数量很大的晶片，根据不同晶片大小，一个晶圆上可以存在着几十至几十万颗晶片。而在晶圆测试阶段，通常是由测试机台与探针卡共同构建一个测试环境，在此环境下测试晶圆上的晶片，以确保各个晶片的电气特性与功能都符合设计的规格和规范。未能通过测试的晶片将会被标记为不良产品或者坏片，在其后的切割封装阶段将被剔除。只有通过测试的晶片才会被封装为芯片。在晶圆测试阶段，为了提高芯片的良率和质量，通常还需要对芯片的若干参数进行必要的修调和编程，从而实现更高性能或者差异化的功能。晶圆测试对于降低芯片的生产成本和提高芯片的质量是非常必要的。而一个优质的芯片测试环境将是这一切的一个非常重要的保证。

现有技术中的一种晶圆测试方法为：对于一种型号的晶片，预先设计提供一套探针卡，该探针卡上包括用于测量晶片电信号的测量探针和用于修调和编程晶片的熔断探针。首先，通过该探针卡上的测量探针测量晶片是否符合设计的规格和规范；然后，根据测量结果通过熔断探针对晶片进行修调或编程，此处的“修调”通常是指通过熔断探针对晶片中预先设计的电阻网络、熔丝或者齐纳二极管之类的器件进行选择性熔断以改良晶片的性能，此处的“编程”通常是指通过熔断探针对晶片中预先设计的熔丝进行熔断以选择晶片的不同功能；在修调或编程后，再次通过测量探针测量修调或者编程后的晶片是否已经达到了修调目的或达到了设计规范。在整个过程中，探针卡上的各个探针通常一一对应地与晶片上的对应接点紧密接触，并且不发生移动。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在如下缺陷：第一，现有技术中的探针卡通常存在漏电，在使用包括漏电的探针卡进行测试时，如果这些漏电出现在晶片的低阻抗节点（如该节点驱动能力很强）上，则对晶片内的电路的影响很小。但对于一些高精度、低功耗模拟电路来说，存在一些高阻抗节点，如果探针探测这些高阻抗节点时，探针上的漏电产生的影响则很大，等效改变的电压幅度近似为漏电电流乘以该高阻抗节点的阻抗值。比如，探测卡的一部分被设计为修调一个基准电压至3V+/-1%的精度，当被测试晶片接上探针后，由于探针上的漏电电流的干扰导致本来电压值为3.04V的晶片实际电压被测量为2.98V，则系统判断该被测试晶片为无需修调，但是探针移除后，该被测试晶片的真实电压为3.04V，其实是需要修调的晶片。第二，探针与晶片之间容易产生寄生电容，寄生电容对测量探针的准确性也有一定影响，甚至会引起环路振荡。

为此，有必要提供一种新的技术方案来解决上述问题。

【实用新型内容】

本部分的目的在于概述本实用新型的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本实用新型的范围。

本实用新型的目的在于提供一种晶圆测试装置，其可以减小探针上的漏电对晶片测试的影响。

为了达到本实用新型的目的，本实用新型提出一种晶圆测试装置，所述装置包括：至少一组测量探针卡，所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针；至少一组熔断探针卡，所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针，其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。

在一个进一步的实施例中，所述复合探针卡包括多组测量探针卡，各组测量探针卡对应不同的晶片，各组测量探针卡测量对应的晶片的不同测试项目。

在一个进一步的实施例中，所述晶圆测试装置还包括与所述各组探针卡相连的测试机台，所述测试机台中包括用于存储各组测量探针卡的测量结果的存储装置。

在一个进一步的实施例中，所述熔断探针卡根据所述测试机台的存储装置内存储的来自各组测量探针卡的针对同一晶片的测量结果修调或编程对应的晶片。

在一个进一步的实施例中，在所述测量探针卡对对应的晶片测量完成，所述熔断探针卡对对应的晶片修调或编程完成后，整体向前移动所述复合探针卡，以使得各组探针卡分别对应于与移动前对应的晶片相邻的下一个晶片。

在一个进一步的实施例中，随着所述复合探针卡的不断的向前移动，各测量探针卡和熔断探针卡先后经过晶圆上的每个晶片。