[实用新型]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明属于发光二极管照明领域，其具体涉及一种芯片级发光二极管封装。

背景技术

发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压低、易集成化等优点，是继白炽灯、荧光灯和高强度放电（英文缩写为HID）灯（如高压钠灯和金卤灯）之后的第四代新光源。近年来，由于材料及技术的突破，发光二极管的发光亮度已经有了非常多的提升，尤其是白光发光二极管的出现，更使得发光二极管渐渐的取代目前传统照明设备。

传统的发光二极管的封装技术主要有COB封装（即chip On board）和PLCC封装 (Plastic Leaded Chip Carrier)。请参考附图1和2。图1所示为采用COB封装的发光二极管的结构示意图，其在LED阵列120的COB光引擎上设计光学透镜。采用此种封装方式，需要使用大量价格昂贵的硅胶及环形密封圈（O-Ring），且在生产过程中打线良率不佳。图2所示为采用PLCC封装的发光二极管的结构示意图，其将LED芯片放置在支架内部。采用此种封装方式，光学设计上需解决混光问题，同时也是需要使用较多的硅胶，且散热效果不佳。

发明内容

本发明旨在提出一种芯片级发光二极管封装结构，其免除支撑基板结构，采用芯片级透镜结构，大幅度减少硅胶的使用量，并且导入了远程荧光粉概念（Remote-Phosphor）可以有效减少热对荧光粉所产生的效率低下的问题，有利于光学上的光型应用及增加散热效果。

本发明解决技术问题的方案为：发光二极管封装结构，包括：复数个发光二极管芯片水平排列；硅胶层，将所述芯片以等间距方式排列在一起，并在每个发光二极管芯片的上方形成透镜结构；荧光粉层，其位于所述透镜结构上方；保护层，位于所述荧光粉层之上，将所述荧光粉层全部覆盖。

在本发明中，所述发光二极管封装结构免除基板结构，所述复数个发光二极管芯片通过硅胶层粘结；所述硅胶层的厚度随着光型的设计改变可为5um~1500um；所述荧光粉层的厚度随着色温的调控可为1um~100um；所述保护层的材料可为透明非导体材料，如硅胶，氧化铝，氧化钛等，其厚度小于2000um。

发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其它优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 

虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。 

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为现有技术中采用COB封装的发光二极管的结构示意图。

 图2为现有技术中采用PLCC封装的发光二极管的结构示意图。

图3为根据本发明实施的发光二极管封装结构示意图。

图4~图11为图3所示的发光二极管封装结构的制作过程截面图。

图中各标号表示：

       100：COB封装结构；110：基板；120：LED芯片；130：荧光粉层；140：硅胶透镜；150：环形密封圈（O-Ring）；200：PLCC封装结构；210：基板；220：LED支架；240：胶硅透镜；310：临时基板；230：LED芯片；330：荧光粉层；331：带透镜状荧光粉层；340：硅胶层；341：带透镜状硅胶层；351：保护层。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。