[实用新型]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201220189205.5 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN202616230U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 黄苡叡;林素慧;林科闯;陶青山;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.发光二极管封装结构，包括：
复数个发光二极管芯片水平排列；
硅胶层，将所述芯片以等间距方式排列在一起，并在每个发光二极管芯片的上方形成透镜结构；
荧光粉层，其位于所述透镜结构上方；
保护层，将所述荧光粉层全部覆盖。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述芯片级发光二极管封装结构没有基板支撑，所述复数个发光二极管芯片通过硅胶层粘结。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述硅胶层的厚度为5um~1500um。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述荧光粉层的厚度1um~100um。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为透明非导体材料。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为硅胶、氧化铝或氧化钛。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述保护层的厚度小于2000um。
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