[实用新型]晶片电阻器

说明书

技术领域

本实用新型关于一种晶片电阻器(chip resistor)，尤其涉及一种适用于焊接在电路板的岸面栅格阵列(land grid array，LGA)焊垫上的晶片电阻器。

背景技术

请参阅图1，为一传统的晶片电阻器1的截面图。晶片电阻器1焊接在电路板2。

如图1所示，传统的晶片电阻器1包含绝缘基板10、一对端电极(12、14)、电阻体16以及保护层18。该对端电极(12、14)分别形成在绝缘基板10的两相对的表面(102、104)上，并向绝缘基板102的上表面106及下表面108延伸。电阻体16形成在绝缘基板10的上表面108上，并且电阻体16的两端分别被该对端电极(12、14)覆盖，实现电性连接。保护层18形成在电阻体16上，并且可做为标示层。

晶片电阻器1的该对端电极(12、14)分别放置在电路板2的焊垫(22、24)上，且分别利用焊锡30焊接在焊垫(22、24)上。然而，此种将晶片电阻器1焊接在电路板2的方式存在着一定缺陷，晶片电阻器1加上焊锡30即占据不少空间，外露的焊锡30让电路板2上邻近晶片电阻器1的其他电子元件必须留有更大的间距，以避免在焊接过程与晶片电阻器1形成短路。因此，传统的晶片电阻器1不利于电路板2的电子元件密度提升。

现有电路板为了提升其上电子元件密度，其上的焊垫已采用LGA焊垫。而传统的晶片电阻器1并不适用焊接在LGA焊垫上。

实用新型内容

为了提升电路板上电子元件的密度，进一步提高电路板的使用率，故需对电子元件的构造以及相应的焊接方式进行改善，本实用新型就提供了一种适用于焊接在电路板的岸面栅格阵列焊垫上的晶片电阻器。

本实用新型公开了一种晶片电阻器，其包含：绝缘基板，具有一下表面；一对端电极，形成在该绝缘基板的该下表面上；电阻体，形成在该绝缘基板的该下表面上，其位置处于该对端电极之间，且该电阻体的两端分别电性连接该对端电极；以及保护层，形成于该电阻体上。

在所述之晶片电阻器中该电阻体与该保护层叠加的总厚度不超过每一端电极的厚度。

在所述之晶片电阻器中每一端电极与该绝缘基板的该下表面的边缘皆存有一间隙。

在所述之晶片电阻器中该绝缘基板具有一与该下表面相对的上表面，该晶片电阻器还包含一标示层，形成于该绝缘基板的该上表面上。

在所述之晶片电阻器中每一端电极之组成为金、银、铜、镍、锡或其他导电性较佳的金属中的任意一种，或为上述金属中任意多种组合后的合金。

在所述之晶片电阻器中该绝缘基板由SiN、Si3N4，、SiO2、SiC、Al2O3以及AlN中的任意一种或多种材质所制成。

本实用新型又公开了另一种晶片电阻器，其包含：绝缘基板，具有一下表面以及一与该下表面相对的上表面；电阻体，为形成在该绝缘基板之该上表面上；保护层，为形成于该电阻体上；一对端电极，形成在该绝缘基板的该下表面上，每一端电极分别对应该电阻体的两端中之一端；以及一对贯孔导体，形成于该绝缘基板内且贯穿该绝缘基板，每一贯孔导体分别电性连接一个端电极及该电阻体的其中一端部。

在所述之晶片电阻器中每一端电极与该绝缘基板之该下表面的边缘皆存有一间隙。

在所述之晶片电阻器中每一端电极由金、银、铜、镍、锡或其他导电性较佳的金属中的任意一种材质所制成，或为上述金属中任意多种组合后的合金。

在所述之晶片电阻器中该绝缘基板由SiN、Si3N4，、SiO2、SiC、Al2O3以及AlN中的任意一种或多种材质所制成。

在所述之晶片电阻器中该绝缘基板为由多层陶瓷层堆迭所构成。

在所述之晶片电阻器中每一贯孔导体为由形成于每一层陶瓷层内的子贯孔导体堆迭所构成。

在所述之晶片电阻器中每一层陶瓷层由SiN、Si3N4，、SiO2、SiC、Al2O3以及AlN中的任意一种或多种材质所制成。

与现有技术相比，本实用新型所提供的晶片电阻器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升电路板上电子元件的密度。

附图说明

图1为传统的晶片电阻器的结构示意图。

图2为本实用新型一较佳具体实施例中晶片电阻器的结构示意图。

图3为图2中晶片电阻器的下视图。

图4为本实用新型另一较佳具体实施例中晶片电阻器的结构示意图。

图5为图4中晶片电阻器的下视图。

具体实施方式