[实用新型]晶片电阻器有效
申请号: | 201220187892.7 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN202736613U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 吴旻修;萧朝光 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/02;H01C1/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 电阻器 | ||
1.一种晶片电阻器,其特征在于包含:
绝缘基板,具有一下表面;
一对端电极,形成在该绝缘基板的该下表面上;
电阻体,形成在该绝缘基板的该下表面上,其位置处于该对端电极之间,且该电阻体的两端分别电性连接该对端电极;以及
保护层,形成于该电阻体上。
2.如权利要求1所述之晶片电阻器,其特征在于该电阻体与该保护层叠加的总厚度不超过每一端电极的厚度。
3.如权利要求1所述之晶片电阻器,其特征在于每一端电极与该绝缘基板的该下表面的边缘皆存有一间隙。
4.如权利要求1所述之晶片电阻器,其特征在于该绝缘基板具有一与该下表面相对的上表面,该晶片电阻器还包含一标示层,形成于该绝缘基板的该上表面上。
5.如权利要求1所述之晶片电阻器,其特征在于每一端电极是金电极、银电极、铜电极、镍电极或锡电极。
6.如权利要求1所述之晶片电阻器,其特征在于该绝缘基板是SiN基板、Si3N4基板、SiO2基板、SiC基板、Al2O3基板或AlN基板。
7.一种晶片电阻器,其特征在于包含:
绝缘基板,具有一下表面以及一与该下表面相对的上表面;
电阻体,为形成在该绝缘基板之该上表面上;
保护层,为形成于该电阻体上;
一对端电极,形成在该绝缘基板的该下表面上,每一端电极分别对应该电阻体的两端中之一端;以及
一对贯孔导体,形成于该绝缘基板内且贯穿该绝缘基板,每一贯孔导体分别电性连接一个端电极及该电阻体的其中一端部。
8.如权利要求7所述之晶片电阻器,其特征在于每一端电极与该绝缘基板之该下表面的边缘皆存有一间隙。
9.如权利要求7所述之晶片电阻器,其特征在于每一端电极是金电极、银电极、铜电极、镍电极或锡电极。
10.如权利要求7所述之晶片电阻器,其特征在于该绝缘基板是SiN基板、Si3N4基板、SiO2基板、SiC基板、Al2O3基板或AlN基板。
11.如权利要求7所述之晶片电阻器,其特征在于该绝缘基板为由多层陶瓷层堆迭所构成。
12.如权利要求11所述之晶片电阻器,其特征在于每一贯孔导体为由形成于每一层陶瓷层内的子贯孔导体堆迭所构成。
13.如权利要求11所述之晶片电阻器,其特征在于每一层陶瓷层是SiN层、Si3N4层、SiO2层、SiC层、Al2O3层或AlN层。
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