[实用新型]半导体装置有效
| 申请号: | 201220185675.4 | 申请日: | 2012-04-26 | 
| 公开(公告)号: | CN202652080U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 | 
| 发明(设计)人: | 石川纯;绀谷一善;东川直树;松本尚能 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 | 
| 主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H02M1/32 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李伟 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体装置,该半导体装置具备:多个半导体元件被分别排列设置成一列的半导体模块;和安装有多个电容器的电容器模块。
背景技术
专利文献1公开了一种向电机供给电流可变的AC电力的逆变器装置(半导体装置)。该逆变器装置具备半导体模块、和输出被半导体模块进行电力转换后的电力的输出端子。更具体而言,如图8所示,在专利文献1公开的AC控制器90(半导体装置)中,在底座95的中央设置有将直流电力转换为交流电力的逆变器91。该逆变器91设置有用于输入直流电力的输入端子91a,并且还设置有用于输入三相的交流电力的输出端子91b。在逆变器91的输入端子91a侧的侧方设置有多个用于使输入电力稳定的电容器92。
专利文献1:日本特表2008-035591号公报。
在逆变器91的侧方排列设置的多个电容器92中,若存在距离逆变器91较近的电容器,则就会存在距离逆变器91较远的电容器,进而多个电容器92之间会产生到逆变器91的距离之差。如此,则从电容器92到逆变器91的各开关元件的电流路径的长度会产生差异。电流路径越长则电感越大,开关时的损失也就越大。其结果,在进行开关时,特定的开关元件、即在电流路径长的开关元件中产生过大的浪涌电压,存在开关元件受损的危险。
实用新型内容
本实用新型是鉴于上述现有的问题而提出的,其目的在于提供一种能够防止在特定的开关元件中产生过大的浪涌电压的半导体装置。
为了解决上述问题点,技术方案1中记载的实用新型涉及一种半导体装置,其具有:半导体模块,是构成三相逆变器电路的各相的上臂半导体元件以及下臂半导体元件分别被排列在主电路基板上,且上述上臂半导体元件以及下臂半导体元件分别由被排列成一列的半导体元件构成的半导体模块;以及电容器模块,在电容器基板上安装有与上述三相逆变器电路并联连接的多个电容器。其中,上述电容器基板被配置在上述主电路基板的上方且与上述主电路基板对置的位置,在构成上述主电路基板的各相的上述上臂半导体元件、以及上述下臂半导体元件的两侧,设置有将上述电容器基板与上述主电路基板电连接的连接电极部,当从上方观察时,上述电容器基板上的上述多个电容器被配置于与上述主电路基板的各相的上臂用的半导体元件以及下臂用的半导体元件在上方重合的位置。
例如,在U相、V相、W相的上臂以及下臂被排列设置成6列的半导体模块中,若在多个半导体元件分别被并联连接而构成的上臂半导体元件以及下臂半导体元件的列方向的一端侧集中地配置电容器,则从这些电容器到上下各臂半导体元件的列方向的另一端侧的半导体元件为止的电流路径变长,对该半导体元件而言,布线电感会变大。另外,若将三相的上臂半导体元件以及下臂半导体元件排列设置成6列,并且在与上臂半导体元件以及下臂半导体元件的列方向垂直的方向的两侧分散地配置电容器。则在该情况下,在三相中最中间的相的上下臂半导体元件中,与两侧的相的上下臂半导体元件相比,从电容器起始的电流路径变长,布线电感变大。
这一点,根据本实用新型,在分别与U相、V相、W相的上臂半导体元件以及下臂半导体元件重合的位置上配置电容器,并且,与各臂相邻地构成了从电容器基板到主电路基板的电流路径。因此,多个半导体元件被排列成一列,并相互并联连接而成的各臂中,从电容器到各半导体元件的电流路径被均等化。由此,能够缩小在各相中构成各臂的被排列成一列的多个半导体元件间的布线电感之差,并且,能够抑制在特定的半导体元件中产生过大的浪涌电压的情况。
根据本实用新型,防止了在特定的开关元件中产生过大的浪涌电压的情况。
附图说明
图1是示出本实用新型的一实施方式的半导体装置的分解立体图。
图2是示出该实施方式的半导体装置的侧面图。
图3是半导体装置的电路构成图。
图4是示出电容器与半导体元件的上下关系的俯视图。
图5是示出半导体装置的变形例中的半导体模块的俯视图。
图6是示出半导体装置的变形例中的电容器模块的俯视图。
图7是示出半导体装置的变形例中的电容器模块的俯视图。
图8是示出现有的半导体装置的俯视图。
附图标记说明如下:
G1、G4、G5:作为上臂半导体元件群的第1、第4、第5半导体元件群;
G2、G3、G6:作为下臂半导体元件群的第2、第3、第6半导体元件群;
10:半导体装置; 12:半导体模块;
22:主电路基板; 23:半导体元件;
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