[实用新型]薄膜晶体管基板

说明书

技术领域

本实用新型为一种薄膜晶体管基板，特别是有关于一种低线路阻抗的薄膜晶体管基板。 

背景技术

近年来，随半导体制程技术的进步，薄膜晶体管基板的制造越来越容易及快速。 

图1a为习知薄膜晶体管基板部份平面示意图。图1a中的AB线段的剖面在图1b中显示。图1a中的CD线段的剖面在图1c中显示。如图1a所示，薄膜晶体管基板9包括复数条数据线91以及复数条扫描线92。每相邻两条的资料线91和每相邻两条的扫描线92所围成的区域为一画素93，每一画素93都有一薄膜晶体管。 

请同时参阅图1b及图1c。在基板94上形成扫描线92。然后，闸极绝缘层(gate insulation layer)95形成在基板94上，并覆盖该扫描线92。然后，于闸极绝缘层95上形成数据线91。最后，保护层(passivation layer)96形成在闸极绝缘层95上，并覆盖数据线91。 

然而，随着液晶显示器的尺寸越做越大，其分辨率越高，薄膜晶体管基板上的数据线及扫描线的数量明显增加，导致线路的总阻抗因而增加，使整个画素电路的充放电时间变长，画素电路的反应速度变慢。 

因此，便有需要提供一种线路电阻较低的薄膜晶体管基板，以解决前述的问题。 

发明内容

本实用新型的目的是提供一种薄膜晶体管基板，该基板结构能降低画素电路的阻抗，使整个画素电路的充放电时间变短，画素电路的反应速度上升，尤其在大尺寸的液晶显示器上，其画面的均匀度提升。 

本实用新型采用以下方案实现：一种薄膜晶体管基板，其包括：一基板；复数条扫描线，形成在该基板上；复数条数据线，与该扫描线相互垂直；复数个薄膜晶体管，位于该些扫描线，且相邻两条数据线之间；以及复数段导体，分别电性连接相对应该些扫描线及/或该些数据线，其中该些导体由图案化金属氧化物层掺杂还原性气体而形成。 

在本实用新型一实施例中，其中该第一图案化金属氧化物层的材料为铟锌氧化物或铟镓锌氧化物。 

在本实用新型一实施例中，其中该还原性气体为氢气。 

在本实用新型一实施例中，其中该导体位在该数据线与该基板之间。 

在本实用新型一实施例中，其中该数据线覆盖该导体。 

在本实用新型一实施例中，其中该扫描线位在该基板与该导体之间。 

在本实用新型一实施例中，更包括一闸极绝缘层，该闸极绝缘层位在该导体与该基板之间。 

在本实用新型一实施例中，更包括一闸极绝缘层，形成在该基板上，并覆盖该扫描线，该闸极绝缘层形成有一贯穿孔，该贯穿孔位在该扫描线的中央位置上方，其中该导体藉由该贯穿孔电性连接该扫描线。 

在本实用新型一实施例中，更包括： 

一闸极绝缘层及一蚀刻停止层，其中每一该薄膜晶体管包括一第二图案化金属氧化物层，该第二图案化金属氧化物层形成在该闸极绝缘层与该蚀刻停止层之间。

在本实用新型一实施例中，其中该第二图案化金属氧化物层与该第一图案化金属氧化物层藉由同一制程和材料而形成。 

因此，本实用新型的特点在于最主要是利用制程的过程中，在沉积保护层时所产生的还原性气体(例如氢气)会和金属氧化物(例如铟镓锌氧化物)产生化学反应，使铟镓锌氧化物因为氢气的掺杂由原本的半导体变成导体的特性，将它运用在画素电路的扫描线和数据在线，使得金属导线与导体化的铟镓锌氧化物相互电性连接，达到降低画素电路的阻抗，使整个画素电路的充放电时间变短，画素电路的反应速度上升，尤其在大尺寸的液晶显示器上，其画面的均匀度提升。 

为了让本实用新型的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。 

附图说明

图1a为习知薄膜晶体管基板部份平面示意图； 

图1b为习知资料线的剖面图；

图1c为习知扫描线的剖面图；

图2a为本实用新型的第一实施例的薄膜晶体管基板部份平面示意图；

图2b为本实用新型的第一实施例薄膜晶体管的剖面图；

图2c为本实用新型的第一实施例资料线的剖面图；

图3a为本实用新型的第二实施例的薄膜晶体管基板部份平面示意图；

图3b为本实用新型的第二实施例资料线的剖面图；

图4a为本实用新型的第三实施例的薄膜晶体管基板部份平面示意图；

图4b为本实用新型的第三实施例扫描线的剖面图；

图5为本实用新型的第四实施例的薄膜晶体管基板部份平面示意图；以及