[实用新型]薄膜晶体管基板有效
| 申请号: | 201220185149.8 | 申请日: | 2012-04-27 | 
| 公开(公告)号: | CN202721128U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 | 
| 发明(设计)人: | 黄金海;孙伯彰;陈冠妤;黄思齐 | 申请(专利权)人: | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786 | 
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 | 
| 地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包括:
一基板;
复数条扫描线,形成在该基板上;
复数条数据线,与该扫描线相互垂直;
复数个薄膜晶体管,位于该些扫描线,且相邻两条数据线之间;以及
复数段导体,分别电性连接相对应该些扫描线及/或该些数据线,其中该些导体由一第一图案化金属氧化物层掺杂一还原性气体而形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该第一图案化金属氧化物层的材料为铟锌氧化物或铟镓锌氧化物。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该还原性气体为氢气。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该导体位在该数据线与该基板之间。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该数据线覆盖该导体。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该扫描线位在该基板与该导体之间。
7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:更包括一闸极绝缘层,该闸极绝缘层位在该导体与该基板之间。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:更包括一闸极绝缘层,形成在该基板上,并覆盖该扫描线,该闸极绝缘层形成有一贯穿孔,该贯穿孔位在该扫描线的中央位置上方,其中该导体藉由该贯穿孔电性连接该扫描线。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:更包括:
一闸极绝缘层及一蚀刻停止层,其中每一该薄膜晶体管包括一第二图案化金属氧化物层,该第二图案化金属氧化物层形成在该闸极绝缘层与该蚀刻停止层之间。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板,其特征在于:其中该第二图案化金属氧化物层与该第一图案化金属氧化物层藉由同一制程和材料而形成。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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