[实用新型]一种用于电感耦合等离子处理装置的连接卡口有效

专利信息
申请号: 201220115766.0 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN202473834U 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 左涛涛;徐朝阳;倪图强;周旭升;张亦涛 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电感 耦合 等离子 处理 装置 连接 卡口
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于电感耦合等离子处理装置的连接卡口。

背景技术

等离子反应器或反应腔在现有技术中是公知的,并广泛应用于半导体集成电路、平板显示器,发光二极管(LED),太阳能电池等的制造工业内。在等离子腔中通常会施加一个射频电源以产生并维持等离子于反应腔中。其中,有许多不同的方式施加射频功率,每个不同方式的设计都将导致不同的特性,比如效率、等离子解离、均一性等等。其中,一种设计是电感耦合(ICP)等离子腔。

图1示出了现有技术的电感耦合等离子处理装置的结构示意图。如图1所示,在电感耦合等离子处理腔100中,一个通常是线圈状的天线16连接于射频功率源108,用于向反应腔内发射射频能量。为了使来自天线16的射频功率耦合到反应腔内,在天线处设置一个绝缘材料窗口。反应腔可以处理各种基片W,比如硅晶圆等,基片W被固定在静电夹盘102上,等离子在基片上方产生。在电感耦合等离子处理腔100中,各种气体从气体源107被注入到腔室中,以使得离子和基片W之间的化学反应和/或物理作用可被用于在所述基片上形成各种特征结构,比如刻蚀、沉积等等。其中,电感耦合等离子处理腔100还设置了一个真空泵15,用于将制程冗余的杂质气体等抽出腔室以外。

其中,所述电感耦合等离子处理装置100具有一腔体,包括侧壁101以及一顶盖103。在顶盖103上方设置了一绝缘顶板104,天线16被放置在绝缘顶板104上方。

然而,由于绝缘顶板104一般由陶瓷制成,其质地较脆,因此其中没有做打孔等固定。当需要打开电感耦合等离子处理装置100的顶盖103时,绝缘顶板104容易滑落翻转以致造成不可逆转的损坏。

再者,为达到密封的目的,通常在顶盖103和绝缘顶板104之间设置了橡胶圈105(o-ring)。然而,在制程后,绝缘顶板104容易通过橡胶圈粘附在顶盖103上,往往导致不借助工具无法分开绝缘顶板104和顶盖103。

因此,业内需要一种改进电感耦合反应腔设计,可以优化反应腔内的顶盖103和绝缘顶板104之间的配置方式,并且有助于设备的维护和减少损耗。

实用新型内容

针对背景技术中的上述问题,本实用新型提出了一种用于电感耦合等离子处理装置的连接卡口。

本实用新型第一方面提供了一种用于电感耦合等离子处理装置的绝缘顶板和顶盖的连接卡口,其中,所述电感耦合等离子处理装置具有一腔体,其提供了制程空间,所述腔体包括侧壁以及一顶盖,所述顶盖具有一中央开口,在所述顶盖上方设置了一绝缘顶板,其覆盖所述中央开口,所述顶盖具有一凹洞,其中,所述连接卡口包括:

一主体,

所述主体包括:

一柱状部件,其侧壁具有一与所述绝缘顶板的外围弧度相贴合的第一表面,所述柱状部件下表面接触于所述顶盖的上表面,其中,所述柱状部件具有至少一个第一通孔;

在所述柱状部件的上下端分别具有一第一突起和第二突起,所述第一突起的下表面接触于所述绝缘顶板的外围的上表面,所述第二突起的上表面接触于所述绝缘顶板的外围的下表面,

固定钉,其能够通过所述柱状部件的所述第一通孔和所述顶盖的所述凹洞。

进一步地,所述固定钉为螺钉,所述螺钉具有第二螺纹,所述,螺钉能够通过所述柱状部件的所述第一通孔和所述顶盖的所述凹洞,其中,所述凹洞内壁具有第一螺纹,所述第一螺纹与所述第二螺纹相配合。

进一步地,所述柱状部件还具有至少一个第二通孔,其中,所述连接卡口还包括至少一个退工钉,所述退工钉与所述第二通孔相配合,所述退工钉具有第三螺纹,所述第二通孔内壁具有第四螺纹,所述第三螺纹和所述第四螺纹相配合。

进一步地,所述主体的材料包括不锈钢、铝、铝合金。

进一步地,所述第一通孔的直径的取值范围为5mm~9mm,所述第二通孔的直径的取值范围为3mm~9mm。

进一步地,所述第一突起的下表面面积的取值范围为100mm2~200mm2,所述第二突起的上表面面积的取值范围为150mm2~250mm2

进一步地,所述柱状部件的高度与所述所述绝缘顶板的厚度相配合。

本实用新型第二方面提供了一种电感耦合等离子处理装置,其中,所述等离子处理装置包括若干个本实用新型第一方面所述的连接卡口。

附图说明

图1是现有技术的电感耦合等离子处理装置的结构示意图;

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