[实用新型]树脂包封的半导体器件有效
| 申请号: | 201220097612.3 | 申请日: | 2012-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN202816903U | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 长崎洋平 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/16 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 树脂 半导体器件 | ||
1.一种树脂包封的半导体器件,包括:
基底;
设置在所述基底上的半导体芯片,
所述树脂包封的半导体器件的特征在于还包括:
应力缓和构件,其被设置在所述基底上且在所述半导体芯片外侧,每个所述应力缓和构件缓和施加到所述半导体芯片的应力。
2.根据权利要求1所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件被设置在所述半导体芯片的对角线的延长线上以彼此相对。
3.根据权利要求2所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件的高度高于所述半导体芯片的高度。
4.根据权利要求2所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述基底的在其上设置所述半导体芯片的部分的高度不同于所述基底的在其上设置所述应力缓和构件的部分的高度。
5.根据权利要求4所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件的高度低于所述半导体芯片的高度。
6.根据权利要求2所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件分别沿所述半导体芯片的邻接的两个边延伸。
7.根据权利要求6所述的树脂包封的半导体器件,
其中,沿所述半导体芯片的所述邻接的边延伸的所述应力缓和构件的每个部分被设置为与每个所述邻接的边平行。
8.根据权利要求6所述的树脂包封的半导体器件,
其中,沿所述半导体芯片的所述邻接的边延伸的所述应力缓和构件的每个部分被设置为具有与每个所述邻接的边所成的小于90度的角。
9.根据权利要求8所述的树脂包封的半导体器件,
其中,沿所述半导体芯片的所述邻接的边延伸的所述应力缓和构件的 每个部分被设置为具有与每个所述邻接的边所成的45度的角。
10.根据权利要求2所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件具有柱结构。
11.根据权利要求10所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件具有平面视图中的正方形柱结构。
12.根据权利要求11所述的树脂包封的半导体器件,
其中,平面视图中的所述正方形的中心被设置在所述半导体芯片的对角线的延长线上。
13.根据权利要求10所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件具有平面视图中的圆形柱结构。
14.根据权利要求13所述的树脂包封的半导体器件,
其中,平面视图中的所述圆形的中心被设置在所述半导体芯片的对角线的延长线上。
15.根据权利要求1所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件包围所述半导体芯片的外侧。
16.根据权利要求15所述的树脂包封的半导体器件,
其中,包围所述半导体芯片的外侧的所述应力缓和构件构成封闭环路。
17.根据权利要求15所述的树脂包封的半导体器件,
其中,包围所述半导体芯片的外侧的所述应力缓和构件具有间断部分。
18.根据权利要求1所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述基底为引线框的底座。
19.根据权利要求1所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述基底为布线板。
20.根据权利要求1所述的树脂包封的半导体器件,
其中,所述应力缓和构件被设置为垂直于所述基底。
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