[实用新型]低压干燥预烘装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，特别是涉及一种用于显示装置光刻制造工艺中的低压干燥预烘装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)的制作工艺中，光刻工艺是重要的环节。传统光刻工艺包括：涂胶前的基板表面预处理步骤、涂覆(Coating)光刻胶(Photoresist，PR)、低压干燥(Low Pressure Dry)、预烘(Pre-Bake)、曝光(Exposure)、显影(Develop)以及硬烘(Hard-Bake)。其中LPD和Pre-Bake环节决定了PR胶曝光前的溶剂(Solvent)含量，PR胶进行曝光时所需的能量与PR胶中的溶剂含量有着密不可分的关系。溶剂的含量不同，则曝光时所需能量不同。在曝光设备无法针对TFT基板某些区域单独调整曝光能量的情况下，对PR胶的显影及硬烘完成后，TFT图案区(Pattern)的关键参数显影关键尺寸(Development Inspection Critical Dimension，DICD)和曝光所采用的半色调掩膜版厚度(Halftone MASK Thickness)存在差异效应(Loading effect)，即基板的边缘区域(Glass edge)和基板的中心区域(Glass Center)的图形关键尺寸存在不一致，继而影响最终关键尺寸(Final Inspection Critical Dimension，FICD)均一性，导致产品出现显示画面不均的现象。现有技术中的低压干燥设备的结构如图1所示：该设备中，下腔室(Down Chamber)4’通过固定件1’进行固定；下腔室4’上设置有用于放置基板的基台6，基台6的周围，即对应基板边缘的位置设置有真空管(Vacuum Pipe)3’；上腔室2’对应的设置在下腔室4’的上方，上腔室2’面向下腔室4’的表面上设置有升降梯(Lift Shaft)8’，用于控制上腔室2’下移靠近下腔室4’。当基板被送入低压干燥设备之后，被放置在基台6上，上腔室2’由升降梯8’带动与下腔室4’对合，形成密闭腔体，然后对基板上PR胶内的溶剂进行抽取。由于真空管3只分布在基板周围区域，因此很容易发生抽溶剂不均匀，造成基板出现差异效应，影响显示品质。

另一方面，在预烘工艺中，为了提高生产节拍，通常设计为流动式。基板在预烘设备中不停留，一边运行一边预烘。这样由于基板上溶剂分布的不均匀，预烘时的温度不能对基板不同位置均匀预烘，更不能实现基板温度实时控制，因此导致溶剂在基板不同部位的预烘效果不同，导致光刻胶厚度不均一，最终影响曝光后的FICD不均一，最终会使产品出现Mura(灰度不均)等显示品质的缺陷。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是如何实现基板上光刻胶厚度的均一性，以避免曝光后出现FICD不均一而影响产品的显示品质。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种低压干燥预烘装置，包括：上腔室，对应的设置于所述上腔室下方的下腔室，所述下腔室上设置有基台，其中，所述上腔室固定在外固定装置上，所述上腔室面向下腔室的壁面上均匀设置有若干个真空管，所述下腔室的下方设置有升降梯。

进一步地，所述基台上均匀设置有若干个热盘。

进一步地，所述热盘包括加热件。

进一步地，所述热盘还包括温度传感器和加热控制器。

进一步地，所述加热件包括电阻丝。

进一步地，所述上腔室通过固定件固定在外固定装置上。

进一步地，所述升降梯的底端通过固定件固定在外固定装置上。

(三)有益效果

上述技术方案所提供的低压干燥预烘装置，通过均匀分布的真空管对面板进行PR胶溶剂的均匀抽取，能够避免由于溶剂含量的不均导致的差异效应，能够改善显影关键尺寸，提高显示品质；同时由于在下腔室上设置了带有温度传感器和加热控制器的热盘，实现了对面板的均匀预烘，以保证曝光后关键尺寸(FICD)的均一性，避免产品Mura现象的出现；更进一步地，由于真空管设置在固定的上腔室上，避免了来回的升降运动造成的真空管装置的磨损。

附图说明

图1是现有技术低压干燥装置的结构示意图；

图2是本实用新型低压干燥预烘装置的结构示意图；