[实用新型]非绝缘型功率模块有效

专利信息
申请号: 201220075207.1 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN202948921U 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 郑军;周锦源;贺东晓;王涛 申请(专利权)人: 江苏宏微科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/34;H01L23/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李家麟;王忠忠
地址: 213022 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种非绝缘型功率模块(200),它包含: 

铜基板(210); 

位于所述铜基板(210)指定位置处的功率模块芯片(220); 

从所述功率模块芯片(220)引出的门极电极(230);以及 

外壳(280),用于罩盖所述铜基板(210)、门极电极(230)和所述功率模块芯片(220); 

其中,所述功率模块芯片(220)直接焊接在所述铜基板(210)上,所述门极电极(230)焊接在所述功率模块芯片(220)上。 

2.如权利要求1所述的非绝缘型功率模块(200),其特征在于, 

其中,所述功率模块芯片(220)、所述门极电极(230)、所述铜基板(210)以及所述外壳(280)采用硅凝胶(270)密封,在所述硅凝胶(270)上采用环氧树脂(290)固化封装,以形成密封结构。 

3.如权利要求2所述的非绝缘型功率模块(200),其特征在于,所述门极电极(230)从所述环氧树脂(290)中引出。 

4.如权利要求3所述的非绝缘型功率模块(200),其特征在于,所述门极电极(230)被打弯成型。 

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的非绝缘型功率模块(200),其特征在于,在所述非绝缘型功率模块(200)中的芯片(220)和芯片(220)之间,采用铝丝键合起来。 

6.如权利要求1所述的非绝缘型功率模块(200),其特征在于,所述铜基板的厚度为3毫米。 

7.如权利要求1所述的非绝缘型功率模块,其特征在于,所述功率模块是晶闸管模块、二极管模块、IGBT模块或MOSFET模块。 

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