[实用新型]基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器

权利要求书

1.一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，其特征在于，包括： 

一第一锁存器，其包括一NMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR1以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS1，所述的NDR1和SET-MOS1串联，所述NMOS管的漏极连接至该NDR1和SET-MOS1之间；

一第二锁存器，其包括一PMOS传输管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR2以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS2，所述的NDR2和SET-MOS2串联，所述PMOS管的漏极连接至该NDR2和SET-MOS2之间；以及

一缓冲器，所述的第一锁存器经该缓冲器与所述第二锁存器连接。

2.根据权利要求1所述的基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，其特征在于：所述SET-MOS1和SET-MOS2包括一单电子晶体管SET及一NMOS管，所述的NMOS管的源极与单电子晶体管SET的漏极连接，所述NMOS管的漏极与所述单电子晶体管SET的栅极连接。

3.根据权利要求1所述的基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，其特征在于：所述NDR1和NDR2包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连。

4.根据权利要求2或3所述的基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器，其特征在于：所述单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，以控制器件的隧穿电流。