[实用新型]高带宽低压差线性稳压源及系统级芯片

权利要求书

1.一种高带宽低压差线性稳压源，包括误差放大电路及功率级输出电路，所述功率级输出电路的输出端负反馈接至所述误差放大电路的正相输入端，所述误差放大电路的负相输入端接入基准电压，其特征在于，还包括拓增带宽电路，所述拓增带宽电路的输入端连接所述误差放大电路的输出端，所述拓增带宽电路的输出端连接所述功率级输出电路的输入端，用以作为第二级非反相放大器而增加整个负反馈环路的带宽。

2.如权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述拓增带宽电路中设置有镜像恒流源，用以使流经所述拓增带宽电路中的电流保持恒定。

3.如权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述拓增带宽电路包括第一恒流源(IB_1)、第二恒流源(IB_2)、第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)及第一电阻(R1)，其中：所述第一恒流源(IB_1)的一端接外部电源正端，另一端接所述第二晶体管(M2)的漏极，且所述第二晶体管(M2)的漏极与所述第一晶体管(M2)的栅极连接；所述第二恒流源(IB_1)的一端接地，另一端接所述第一晶体管(M1)的漏极，且所述第一晶体管(M1)的漏极与所述功率级输出电路的输入端连接；所述第一晶体管(M1)的栅极通过所述第一电阻(R1)与所述第一晶体管(M1)的漏极连接，所述第一晶体管(M1)的源极接电源正端；所述第二晶体管(M1)的栅极连接所述误差放大电路的输出端，所述第二晶体管(M1)的源极接地。

4.如权利要求3所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)均为增强型CMOS管，所述第一电阻(R1)为低温差电阻。

5.如权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述误差放大电路为一二级运算放大器(VBG)。

6.如权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述功率级输出电路包括P型功率晶体管(MP)、分压网络及外部补偿用的第一电容(Cout)，其中：所述P型功率晶体管(MP)的栅极接所述拓增带宽电路的输出端，源极接外部电源正端，漏极接至稳压输出端并通过所述分压网络接地；所述第一电容(Cout)接于所述P型功率晶体管(MP)的漏极和地之间，用以对输出电压稳压滤波。

7.如权利要求6所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述分压网络包括第二电阻(R2)、第三电阻(R3)及第二电容(C2)，其中：所述第二电阻(R2)和所述第三电阻(R3)串接于所述P型功率晶体管(MP)的漏极和地之间；所述第二电容(C2)与所述第二电阻(R2)并接；所述误差放大电路的正相输入端接于所述第二电阻(R2)和所述第三电阻(R3)的连接节点上，实现负反馈连接。

8.如权利要求6所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述稳压输出端设有压焊点(PAD)。

9.如权利要求8所述的高带宽低压差线性稳压源，其特征在于，所述压焊点(PAD)与所述误差放大电路的输出端之间接有第三电容(C3)。

10.一种系统级芯片，其特征在于，内设有如权利要求1～9任一项所述的高带宽低压差线性稳压源。