[实用新型]薄膜晶体管结构、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管结构(Thin Film Transistor，TFT)、阵列基板及显示装置。

背景技术

为了达到较大的驱动能力，在32寸以上液晶面板中，大多使用两个或更多的薄膜晶体管像素结构。

如图1所示，该像素结构包括第一TFT单元和第二TFT单元，其中第一TFT单元的漏极11与第二TFT单元的漏极21连接，第一TFT单元的源极12和第二TFT单元的源极22连接，然后再与数据信号线3连接，图中4为Gate栅极线。

当DGS(Data Gate short，是Data信号线与Gate栅极线发生短路的不良现象，源极与漏极均有可能与栅极发生短路)发生在像素结构上时，工艺上为了改善不良，可通过激光，将图1所示的虚线位置切断来修复，这样做会导致发生DGS的像素结构不能工作，常白模式就会出现亮点。

实用新型内容

本实用新型提供一种薄膜晶体管结构、阵列基板及显示装置，有效提高产品的良率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管结构，包括：第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元，其中所述第一薄膜晶体管单元的源极与所述第二薄膜晶体管单元的源极分别与用于提供的信号电压的数据信号线连接。

进一步的，所述第一薄膜晶体管单元的漏极与所述第二薄膜晶体管单元的漏极均与像素电极连接。

此外，本实用新型还提供了一种阵列基板，包括薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构包括：第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元，其中所述第一薄膜晶体管单元的源极与所述第二薄膜晶体管单元的源极分别与用于提供的信号电压的数据信号线连接。

进一步的，所述第一薄膜晶体管单元的漏极与所述第二薄膜晶体管单元的漏极均与像素电极连接。

此外，本实用新型还提供了一种显示装置，包括如上所述技术方案中任一项所述的阵列基板。

由上述技术方案可知，本实用新型的实施例具有如下有益效果：通过将第一薄膜晶体管单元的源极与第二薄膜晶体管单元的源极分别与数据信号线连接，当没有发生不良的时候，第一、第二薄膜晶体管单元都可正常工作，数据信号线的信号输入一致；当第一薄膜晶体管单元或第二薄膜晶体管单元发生短路时，可用激光切去一个，另一个正常工作，能够有效提升产品的良率，且本实施例中的技术方案实施简单，不需要对任何工艺，设备上的改变。

附图说明

图1为现有技术中的薄膜晶体管结构的示意图

图2为实用新型的实施例中薄膜晶体管结构的示意图。

具体实施方式

在本实施例中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定该实施例。可以理解的是，尽管术语第一、第二可以在此用来描述各种部件，但这些部件不应该受限于这些术语。这些术语仅用来将这些部件彼此区分开，例如，在不脱离本实施例的范围的前提下，第一薄膜晶体管单元可以被称为第二薄膜晶体管单元，第二薄膜晶体管单元可以被称为第一薄膜晶体管单元。第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元均为薄膜晶体管单元，但它们并非同一薄膜晶体管单元。

为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型实施例做进一步详细地说明。在此，本实用新型的示意性实施例及说明用于解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

参见图2，为实用新型的实施例中薄膜晶体管结构的示意图，该薄膜晶体管结构，包括：第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元，其中

第一薄膜晶体管单元的源极12与第二薄膜晶体管单元的源极22分别与用于提供信号电压的数据信号线(Data信号线)3连接。

在本实施例中，该数据信号线3用于提供液晶显示不同亮度所需要的灰阶电压。

由此可知，通过将第一薄膜晶体管单元的源极与第二薄膜晶体管单元的源极分别与数据信号线连接，当没有发生不良的时候，第一、第二薄膜晶体管单元都可正常工作，数据信号线的信号输入一致；当第一薄膜晶体管单元或第二薄膜晶体管单元发生短路时，可用激光切去一个，另一个正常工作，能够有效提升产品的良率，且本实施例中的技术方案实施简单，不需要对任何工艺，设备上的改变。

在本实施例中，第一薄膜晶体管单元的漏极11与第二薄膜晶体管单元的漏极21均与像素电极连接。