[实用新型]薄膜晶体管结构、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220063846.6 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN202454555U | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 马禹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元，其中所述第一薄膜晶体管单元的源极与所述第二薄膜晶体管单元的源极分别与用于提供的信号电压的数据信号线连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管单元的漏极与所述第二薄膜晶体管单元的漏极均与像素电极连接。
3.一种阵列基板，包括薄膜晶体管结构，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括：第一薄膜晶体管单元和第二薄膜晶体管单元，其中所述第一薄膜晶体管单元的源极与所述第二薄膜晶体管单元的源极分别与用于提供的信号电压的数据信号线连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管单元的漏极与所述第二薄膜晶体管单元的漏极均与像素电极连接。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求3～4之一所述的阵列基板。
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