[实用新型]一种射频功率放大管功率测试结构

说明书

技术领域

本实用新型属于测试技术领域，尤其涉及一种射频功率放大管功率测试结构。

背景技术

射频功率放大器作为无线发射系统前端的关键部件，其作用是将调制的信号放大到所需要的功率值并由天线发送出去，使信号能够传输相当的距离以便接收机接收。为了达到增益和功率要求，通常功率放大器采用多级级联的形式。一般来说，前面的一级或两级往往采用最大增益匹配的方式，而最后一级作为功率输出级，尤其是输出端的匹配则是采用最大功率匹配的方式，也即，采用负载牵引的方式得到其最佳负载阻抗，进而去设计匹配电路。

在射频功率放大器电路设计中，HBT（异质结双极晶体管）由于具有良好的射频性能而广泛应用在多种工艺中，例如GaAs（砷化镓）基、SiGe（锗硅）基、InP（磷化铟）基工艺等。为了满足功率放大器的功率需求，需要多个HBT的并联，完成功率分配同时也起到热量分配的作用。然而，由于功率输出级所用的晶体管数目较多，多个晶体管并联后的阻抗将变得非常小，其实部阻抗甚至达到1欧姆左右的量级。而当晶体管工作时，由于产生热量使得增益下降而出现负阻现象时，很容易引起工作不稳定；即使只在直流条件下工作，也很容易使晶体管失效。而在Loadpull（负载拉移）测试系统下测试时，往往由于功率管的震荡而无法找到最佳负载阻抗点。

发明内容

本实用新型就是针对上述问题，提供一种测试效率高、稳定性好的射频功率放大管功率测试结构。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案，本实用新型包括源调谐器和负载调谐器，负载调谐器与被测射频功率放大管输出端相连，其结构要点源调谐器通过电感或输入匹配电路与被测射频功率放大管输入端相连。

作为一种优选方案，本实用新型所述射频功率放大管由多个并联的晶体管组成。

作为另一种优选方案，本实用新型所述输入匹配电路为L型匹配电路或T型匹配电路或Π型匹配电路。

其次，本实用新型所述电感为片上螺旋电感。

另外，本实用新型所述输入匹配电路为片上输入匹配电路。

本实用新型有益效果：本实用新型在被测射频功率放大管输入端与源调谐器之间设置电感或输入匹配电路，增加了被测射频功率放大管的输入阻抗，提高其工作稳定性，不易因震荡而失效；使之在Loadpull功率测试系统中，通过Source Tuner（源调谐器）和Load Tuner（负载调谐器）分别改变源阻抗和负载阻抗，能够快速找到最佳负载阻抗点，提高测试效率，并评估其功率输出能力。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。本实用新型保护范围不仅局限于以下内容的表述。

图1是本实用新型一实施例电路结构图。

图2是本实用新型另一实施例电路结构图。

图3是现有射频功率放大管功率测试电路结构图。

具体实施方式

如图所示，本实用新型包括源调谐器和负载调谐器，负载调谐器与被测射频功率放大管输出端相连，源调谐器通过电感L或输入匹配电路与被测射频功率放大管输入端相连。

在功率管的基极串联电感L，不仅可以弥补功率管输入端的容性阻抗，其寄生电阻还能增加输入阻抗的实部，提高功率管的稳定性。

所述射频功率放大管由多个并联的晶体管组成。

所述输入匹配电路为L型匹配电路或T型匹配电路或Π型匹配电路。匹配电路可由电容、电感组成。在测试射频功率放大管之前，先按照最大增益匹配，完成从信号源端（50欧姆）到射频功率放大管基极的输入匹配电路形式（称为预匹配）。可见，包含预匹配电路后，该功率晶体管电路结构的输入阻抗接近50欧姆，稳定性大为提高。

所述电感L为片上螺旋电感。

所述输入匹配电路为片上输入匹配电路。

本实用新型在Loadpull功率测试系统测试功率放大管时，通过Source Tuner和Load Tuner分别改变源阻抗和负载阻抗，得到其最佳负载阻抗以及相应的最大输出功率；从而能够评估此种电路结构下，n个晶体管的功率输出能力。

可以理解的是，以上关于本实用新型的具体描述，仅用于说明本实用新型而并非受限于本实用新型实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本实用新型的保护范围之内。