[发明专利]有机发光显示器及制造该有机发光显示器的方法有效
申请号: | 201210599164.1 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103594483A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 崔浩源;金辰烈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示器,所述有机发光显示器包括:
第一缓冲层和第二缓冲层,所述第一缓冲层和第二缓冲层中的每一个均具有有源区和死区并且彼此面对;
薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列包括在所述第一缓冲层的所述有源区上以矩阵形式限定的多个像素中的每一个像素中的薄膜晶体管;
有机发光二极管,所述有机发光二极管在每个像素处连接到每个薄膜晶体管;
触摸电极阵列,所述触摸电极阵列形成在所述第二缓冲层的所述有源区上;
触摸焊盘部分,所述触摸焊盘部分形成在所述第二缓冲层的所述死区的一部分上;
虚设焊盘部分,所述虚设焊盘部分在所述第一缓冲层的所述死区上面对所述触摸焊盘部分;以及
密封剂,所述密封剂包括所述触摸焊盘部分与所述虚设焊盘部分之间的多个导电球,
其中,所述触摸焊盘部分的最外表面与所述虚设焊盘部分的最外表面之间的距离小于与所述触摸焊盘部分邻近的相邻部分的最外表面与所述虚设焊盘部分的最外表面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述触摸焊盘部分包括彼此间隔开的多个触摸焊盘电极,以及
其中所述虚设焊盘部分包括与所述触摸焊盘电极相对应的多个虚设电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述导电球被压缩为所述触摸焊盘部分与所述虚设焊盘部分之间的预定厚度。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示器,其中所述相邻部分彼此相对并且所述相邻部分中的至少一个与所述密封剂间隔开预定距离。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示器,其中所述触摸焊盘电极具有层叠结构,所述层叠结构包括:金属图案;与所述金属图案交叠的透明电极图案;以及布置在所述金属图案与所述透明电极图案之间的至少一个层间绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示器,其中至少一个层间绝缘薄膜是有机膜。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示器,其中所述触摸电极阵列包括:
金属桥,所述金属桥与所述第二缓冲层上的所述金属图案形成在同一层上;
多个第一透明沟道电极,所述多个第一透明沟道电极电连接到所述金属桥,同时在与所述透明电极图案相同的层中与所述金属桥交叠,所述第一透明沟道电极在第一方向上间隔开;以及
第二透明沟道电极,所述第二透明沟道电极在与所述第一透明沟道电极相同的层中横跨所述金属桥的同时在第二方向上形成。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示器,其中所述触摸焊盘电极还包括公共透明电极图案,所述公共透明电极图案连接到所述透明电极图案并且与所述透明电极图案交叠。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器,所述有机发光显示器还包括与所述公共透明电极图案在相同的层中的公共透明电极,使得所述公共透明电极覆盖所述第一透明沟道电极以及所述第二透明沟道电极。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示器,所述有机发光显示器还包括第一层间绝缘膜,所述第一层间绝缘膜位于所述第一透明沟道电极和所述第二透明沟道电极的层与所述金属桥之间;以及
第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜形成在所述第一透明沟道电极和所述第二透明沟道电极的所述层与所述公共透明电极之间。
11.根据权利要求6所述的有机发光显示器,其中从所述相邻部分中的至少一个的所述死区中移除至少一个层间绝缘膜。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示器,其中从除了与所述第二透明沟道电极交叉的所述金属桥之外的区域和所述触摸焊盘电极中移除所述第一层间绝缘膜。
13.根据权利要求2所述的有机发光显示器,其中,所述虚设电极包括层叠在所述第一缓冲层上的栅极绝缘膜、栅极电极层、中间绝缘膜以及源极金属层。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示器,所述有机发光显示器还包括分别形成在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的背面上的第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示器,所述有机发光显示器还包括形成在所述第一蚀刻停止膜的背面上的膜基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的