[发明专利]一种冷却进气布局结构

说明书

技术领域

本发明属于PECVD设备的冷却技术领域，具体地说是一种冷却进气布局结构。

背景技术

随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛地发展，PECVD等离子体处理设备的开发和使用也日益广泛。

PECVD即为等离子体增强化学气相沉积法，在化学气相沉积时，为了使化学反应能在较低的温度下进行，可以利用了等离子体的活性来促进反应，这种化学气相沉积方法称为等离子体增强化学气相沉积法，实施该种加工方法的设备为PECVD设备。用于太阳能领域等薄膜沉积系统主要为大型平板式PECVD设备，一种典型的板式PECVD系统将多个太阳能电池片装入载板中，将该载板传输至工艺腔内，预热到设定温度后，通入工艺气体，设定功率离化工艺气体产生等离子体，进而完成薄膜沉积。但是现有的大型平板式PECVD设备存在加热温度高，在PECVD机台上沉积减反射层时反应温度在350～450℃，每隔一定间隔需要进行更换石英管等维护工作，现在通常将上盖打开进行冷却，但是仍然需要3个小时以上，存在冷却速度慢，维护周期长，严重影响产能等缺点。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种冷却进气布局结构，该结构结构简单、可以实现快速冷却。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种冷却进气布局结构，包括真空腔体、法兰、进气法兰槽及进气管，其中真空腔体的底部设有法兰，所述进气管的一端穿过法兰和真空腔体的底部插入真空腔体内，进气管的另一端通过与法兰连接的进气法兰槽固定于真空腔体的底部。

所述进气管位于真空腔体内部的端口对准真空腔体的侧壁。所述进气管位于真空腔体内部端口的轴心与真空腔体底部表面的距离为20mm。所述进气管的材料采用金属材料，直径为0.5英寸-1英寸。

所述法兰焊接于真空腔体的底部。所述冷却进气布局结构设置于真空腔体的底部四角。

本发明的优点及有益效果是：本发明采取改变空气流动方式可以有效降低冷却时间，有效缩短维护周期，提高产能。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

其中：1为进气法兰槽，2为外焊法兰，3为真空腔体，4为进气管。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

如图1所示，本发明包括真空腔体3、法兰2、进气法兰槽1及进气管4，其中真空腔体3的底部四角均焊接有法兰2，各法兰2处均设有进气管4，进气管4的一端穿过法兰2和真空腔体3的底部插入真空腔体3内，进气管4的另一端通过与法兰2螺栓连接的进气法兰槽1固定于真空腔体3的底部。

各进气管4位于真空腔体3内的端口对准真空腔体3的侧壁、并端口的轴心与真空腔体3底部表面的距离为20mm。该布局方式可以避免打开工艺腔体3的上盖时，内部的氮化硅粉尘颗粒逸出真空腔体3，并可以有效降低温度。

进气管4的材料采用金属材料，进气管4的直径为0.5英寸-1英寸，可接入液氮流量是10～201/min。本实施例进气管4采用不锈钢材料，直径为0.5英寸，可接入冷却氮气的流量为101/min。

本实施例中法兰与进气法兰槽的型号为RF40。