[发明专利]一种镜面主动式有机发光二极管显示设备及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210587789.6 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103035667A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 杨朝舜;谢信弘 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 主动 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种主动式有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示设备,尤其涉及一种镜面AMOLED显示设备及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)依驱动方式可分为被动式驱动(Passive Matrix OLED,PMOLED)和主动式驱动(Active Matrix OLED,AMOLED)两种。其中,PMOLED是当数据未写入时并不发光,只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计,主要适用于中小尺寸的显示器。

AMOLED与PMOLED最大的差异是在于,每一像素都有一电容存储数据,让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PMOLED,加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器,使得AMOLED成为未来发展的主要方向。具体来说,有机发光二极管可包括一阳极、一阴极和介于阳极和阴极之间的有机发光元件。例如,阳极一般由透明导电材料如ITO(氧化铟锡)制成,阴极一般由诸如金属镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或其合金制成。在OLED中,正电荷(空穴)和负电荷(电子)分别从阳极和阴极注入到有机发光元件中,并且在有机发光元件中再结合,从而形成可以发光的激发态。

在现有技术中,镜面AMOLED显示器结构主要是在玻璃盖板(cover glass)的内侧镀一金属反射薄膜,并利用黄光/蚀刻制程在对应于有机发光二极管阳极的位置开洞,如此一来,OLED发光亮度/光色不会受影响,可保持原来的显示品质。与此同时,使用者会见到100%面积皆为高反射膜(即,金属反射薄膜加上OLED的阴极),进而提升反射镜的品质。然而,在该架构中,玻璃盖板上的金属反射薄膜与基板上的阴极反射层二者之间有间隙,这会使观看者容易看到两层重叠影像,进而影响显示装置的性能。

有鉴于此,如何设计一种镜面主动式有机发光二极管显示设备,以解决现有设备架构中的低穿透、高耗电以及二层重叠影像的问题,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的镜面主动式有机发光二极管显示设备所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新颖的镜面主动式有机发光二极管显示设备及其制造方法。

依据本发明的一个方面,提供了一种镜面主动式有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示设备,包括:

一薄膜晶体管阵列基板;

一第一保护层,位于薄膜晶体管阵列基板的上方,包括一薄膜晶体管,藉由所述薄膜晶体管定义一发光区域和一非发光区域;

一第二保护层,位于所述第一保护层的上方,

一有机发光二极管,包括:

一阳极,设置于所述第二保护层且电性连接至所述薄膜晶体管,所述阳极在竖直方向上对应于所述薄膜晶体管;

一有机发光元件,位于所述阳极的上方;以及

一阴极,设置于所述第二保护层的上方以及所述有机发光元件的上方;

一金属反射薄膜,沉积于所述阴极的上方,并且所述金属反射薄膜在竖直方向上对应于所述非发光区域;以及

一玻璃盖板,与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置,所述玻璃盖板与所述薄膜晶体管阵列基板之间具有一单元间隙,所述单元间隙位于所述金属反射薄膜和所述阴极的上方。

优选地,所述阳极为一反射薄膜,所述阴极为一半穿透半反射(transflective)薄膜。

优选地,有机发光元件为一金属银薄膜,并且金属银薄膜的厚度为22纳米。

优选地,在非发光区域中,所述阴极与所述金属反射薄膜的厚度之和为80纳米。

优选地,采用一金属精细光罩(Fine Metal Mask,FMM)形成与所述非发光区域相对应的所述金属反射薄膜。更优选地,该金属精细光罩为一锯齿形结构或T形结构。

优选地,采用一喷墨印刷(Inkjet Printing,IJP)方式形成与所述非发光区域相对应的所述金属反射薄膜。

依据本发明的另一个方面,提供了一种镜面主动式有机发光二极管显示设备的制造方法,包括以下步骤:

形成一薄膜晶体管阵列基板;

形成一第一保护层,位于薄膜晶体管阵列基板的上方,包括一薄膜晶体管,藉由所述薄膜晶体管定义一发光区域和一非发光区域;

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