[发明专利]一种镜面主动式有机发光二极管显示设备及其制造方法无效
申请号: | 201210587789.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103035667A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 杨朝舜;谢信弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种镜面主动式有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示设备,其特征在于,所述镜面主动式有机发光二极管显示设备包括:
一薄膜晶体管阵列基板;
一第一保护层,位于薄膜晶体管阵列基板的上方,包括一薄膜晶体管,藉由所述薄膜晶体管定义一发光区域和一非发光区域;
一第二保护层,位于所述第一保护层的上方,
一有机发光二极管,包括:
一阳极,设置于所述第二保护层且电性连接至所述薄膜晶体管,所述阳极在竖直方向上对应于所述薄膜晶体管;
一有机发光元件,位于所述阳极的上方;以及
一阴极,设置于所述第二保护层的上方以及所述有机发光元件的上方;
一金属反射薄膜,沉积于所述阴极的上方,并且所述金属反射薄膜在竖直方向上对应于所述非发光区域;以及
一玻璃盖板,与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置,所述玻璃盖板与所述薄膜晶体管阵列基板之间具有一单元间隙,所述单元间隙位于所述金属反射薄膜和所述阴极的上方。
2.根据权利要求1所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,所述阳极为一反射薄膜,所述阴极为一半穿透半反射(transflective)薄膜。
3.根据权利要求1所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,所述有机发光元件为一金属银薄膜,并且金属银薄膜的厚度为22纳米。
4.根据权利要求1所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,在所述非发光区域中,所述阴极与所述金属反射薄膜的厚度之和为80纳米。
5.根据权利要求1所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,采用一金属精细光罩(Fine Metal Mask,FMM)形成与所述非发光区域相对应的所述金属反射薄膜。
6.根据权利要求5所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,所述金属精细光罩为一锯齿形结构或T形结构。
7.根据权利要求1所述的镜面主动式有机发光二极管显示设备,其特征在于,采用一喷墨印刷(Inkjet Printing,IJP)方式形成与所述非发光区域相对应的所述金属反射薄膜。
8.一种镜面主动式有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示设备的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:
形成一薄膜晶体管阵列基板;
形成一第一保护层,位于薄膜晶体管阵列基板的上方,包括一薄膜晶体管,藉由所述薄膜晶体管定义一发光区域和一非发光区域;
形成一第二保护层,位于所述第一保护层的上方,
形成一有机发光二极管,包括一阳极、一有机发光元件和一阴极,其中,所述阳极设置于所述第二保护层且电性连接至所述薄膜晶体管,所述阳极在竖直方向上对应于所述薄膜晶体管,所述有机发光元件位于所述阳极的上方,所述阴极设置于所述第二保护层的上方以及所述有机发光元件的上方;
形成一金属反射薄膜,沉积于所述阴极的上方,并且所述金属反射薄膜在竖直方向上仅对应于所述非发光区域;以及
形成一玻璃盖板,与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置,所述玻璃盖板与所述薄膜晶体管阵列基板之间具有一单元间隙,所述单元间隙位于所述金属反射薄膜和所述阴极的上方。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,采用一金属精细光罩(Fine Metal Mask,FMM)形成与所述非发光区域相对应的所述金属反射薄膜。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述金属精细光罩为一锯齿形结构或T形结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的