[发明专利]芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法

说明书

技术领域

本发明是关于一种芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法，尤其指一种结合特定焊料合金层及金属焊接层的芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法。

背景技术

公元1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克(Nick Holonyak Jr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，而随着科技日益更新，各种色彩发光二极管开发也应蕴而生。而对于现今人类所追求永续发展为前提的情形下，发光二极管的低耗电量以及长效性的发光等优势下，已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者，发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展，已应用在大型户外显示广告牌或交通号志。

21世纪起，电子产业的蓬勃发展，电子产品在生活上已经成为不可或缺的一部分，因此企业对于电子产品开发方向以多功能及高效能发展等为主，也开始将发光二极管芯片应用于各种电子产品。其中尤其是可携式电子产品种类日渐众多，电子产品的体积与重量越来越小，所需的电路载板体积亦随的变小，因此，电路载板的散热效果成为值得重视的问题之一。

以现今经常使用的发光二极管芯片而言，由于发光亮度够高，因此可广泛应用于显示器背光源、小型投影机以及照明等各种电子装置中。然而，目前LED的输入功率中，将近80％的能量会转换成热能，倘若承载LED组件的载板无法有效地散热时，便会使得发光二极管芯片界面温度升高，除了影响发光强度之外，亦可能因热度在发光二极管芯片中累积而造成各层材料受热膨胀，促使结构中受到损伤而对产品寿命产生不良影响此外，由于发光二极管内所激发的光线是以一放射方式扩散，并非所有光线都会经由发光二极管表面而散射出，故造成出光率不佳，且无法达到最有效的出光率。

据此，若能进一步改善发光二极管的散热效率以及缓和或去除发光二极管受热膨胀的不良影响，且寻求一结构整体上的设计来提升出光率，将更可促使整体电子产业的发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法，以改进公知技术中存在的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供的芯片倒装式发光二极管封装模块的

制造方法，包括：

提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；

将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、铋(Bi)、铟(In)或其合金所组成；

提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层；以及

将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该电性连接垫，进而封装于该电路载板；

其中，该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金(Au)、锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、或铟(In)所组成。

所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路载板包含一绝缘层、以及一电路基板，该绝缘层的材质是至少一选自由类金刚石、氧化铝、陶瓷、以及含金刚石的环氧树脂所组群组。

所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路基板是一金属板、一陶瓷板或一硅基板。

所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该焊料合金是至少一选自锡银合金(Sn-Ag)、锡铜合金(Sn-Cu)、锡铋合金(Sn-Bi)、锡铟合金(Sn-In)、银铜合金(Ag-Cu)、银铋合金(Ag-Bi)、银铟合金(Ag-In)、铜铋合金(Cu-Bi)、铜铟合金(Cu-In)、铋铟合金(Bi-In)、锡银铜合金(Sn-Ag-Cu)、锡银铋合金(Sn-Ag-Bi)、锡银铟合金(Sn-Ag-In)、锡铜铋合金(Sn-Cu-Bi)、锡铜铟合金(Sn-Cu-In)、锡铋铟合金(Sn-Bi-In)、银铜铋合金(Ag-Cu-Bi)、银铜铟合金(Ag-Cu-In)、铜铋铟合金(Ag-Bi-In)、锡银铜铋合金(Sn-Ag-Cu-Bi)、锡银铜铟合金(Sn-Ag-Cu-In)、锡铜铋铟合金(Sn-Cu-Bi-In)、锡银铋铟合金(Sn-Ag-Bi-In)、银铜铋铟合金(Ag-Cu-Bi-In)、或锡银铜铋铟合金(Sn-Ag-Cu-Bi-In)。