[发明专利]芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法

权利要求书

1.一种芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，包括：

提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；

将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡、银、铜、铋、铟或其合金所组成；

提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层；以及

将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该电性连接垫，进而封装于该电路载板；

其中，该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金、锡、银、铜、或铟所组成。

2.根据权利要求1所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路载板包含一绝缘层、以及一电路基板，该绝缘层的材质是至少一选自由类金刚石、氧化铝、陶瓷、以及含金刚石的环氧树脂所组群组。

3.根据权利要求1所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路基板是一金属板、一陶瓷板或一硅基板。

4.根据权利要求1所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该焊料合金是至少一选自锡银合金、锡铜合金、锡铋合金、锡铟合金、银铜合金、银铋合金、银铟合金、铜铋合金、铜铟合金、铋铟合金、锡银铜合金、锡银铋合金、锡银铟合金、锡铜铋合金、锡铜铟合金、锡铋铟合金、银铜铋合金、银铜铟合金、铜铋铟合金、锡银铜铋合金、锡银铜铟合金、锡铜铋铟合金、锡银铋铟合金、银铜铋铟合金、或锡银铜铋铟合金。

5.根据权利要求1所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管，包括：一基板，具有一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面；一半导体外延多层复合结构，其位于该基板的该第二表面上方且包含一第一半导体外延层、一第二半导体外延层以及一盲孔，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置，且该盲孔贯穿该第二半导体外延层；一第一电极，位于该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层上方；一第一类金刚石/导电材料多层复合结构，填充于该半导体外延多层复合结构的该盲孔中，并覆盖于该第一电极上方，且电性连接该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层；一第二电极，位于该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层上方；以及一第二类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第二电极上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层。

6.根据权利要求5所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管包括一绝缘保护层，覆盖该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层的侧壁以及该第二半导体外延层的侧壁，以及该盲孔的内壁表面，以隔绝及该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体外延层之间的接触。

7.根据权利要求6所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该绝缘保护层是由两种或以上的不同折射率材料堆叠设置。

8.根据权利要求7所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该不同折射率材料是至少一选自由绝缘类金刚石、氧化钛、二氧化硅、砷化镓、以及砷化铝所组成的群组。

9.根据权利要求6所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管包括在该绝缘保护层的外侧设置一金属保护层。

10.根据权利要求9所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该金属保护层是至少一选自由铝、钛、钼、镍、银、金、铂或其合金所组成的群组。

11.根据权利要求5所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该第二表面为一图形化表面。

12.根据权利要求5所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该第一表面为一图形化表面或一粗糙化表面。

13.根据权利要求5所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该半导体外延多层复合结构包括一无掺杂半导体外延层，该无掺杂半导体外延层夹置于该第一半导体外延层与该基板的该第二表面之间。

14.根据权利要求5所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该半导体外延多层复合结构包括一活性中间层，该活性中间层夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间。