[发明专利]一种阵列基板及制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用，例如高分辨率、高开口率、GOA(Gate on Array，阵列基板行驱动)技术等。目前，对于TFT-LCD而言，现有技术中对于高级超维场转换(ADvanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS)型阵列基板通常需要栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜以及第二电极层掩膜构图工艺来制造，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。现有技术中第一电极层需要单独的一次构图工艺，带有过孔的栅绝缘层图案层和有源层图案层分别需要一次构图工艺。然而，构图工艺的次数过多将直接导致产品的成本上升以及量产产品的产能降低，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过将包括第一电极、栅电极、栅线和栅线引线的图案层在一次构图工艺中形成以及将带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层在一次构图工艺中形成来减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括：步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

第二方面，提供一种阵列基板，包括：设置在基板上的包括第一电极图案层的第一电极层、包括栅极、栅线及栅线引线图案层的栅金属层、带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层、有源层、以及源漏金属层，其中所述第一过孔位于所述栅线引线上方；进一步地，所述第一电极层还包括：设置于所述栅极、栅线及栅线引线图案层下方的透明导电图案层。

第三方面，提供一种显示装置，包括：上述第二方面的阵列基板。

本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过一次构图工艺处理形成包括第一电极的图案层和包括栅极、栅线和栅线引线的图案层，以及通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，与现有技术中通过两次构图工艺处理分别形成第一电极的图案层及栅极、栅线和栅线引线的图案层，以及通过两次构图工艺处理分别形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和所述有源层的图案层相比，本发明实施例减少构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图2～图7为本发明实施例一提供的一种形成包括第一电极的图案层和包括栅极、栅线及栅线引线的图案层的过程示意图；

图8～图13为本发明实施例一提供的一种形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层和有源层的过程示意图；

图14为本发明实施例一提供的一种阵列基板的示意图；

图15为本发明实施例一提供的另一种阵列基板的示意图；

图16为本发明实施例一提供的一种包括钝化层的一种阵列基板的示意图；

图17为本发明实施例一提供的一种包括第二电极层的一种阵列基板的示意图。

附图标记：