[发明专利]一种阵列基板及制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层；

步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层；其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方；

步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；

步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；

步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1的构图工艺包括：

在所述金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用第一灰色调掩膜板或第一半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述栅电极、栅线和栅线引线的图案层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述第一电极的图案层的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜，形成所述栅极、栅线和栅线引线的图案层以及所述栅极、栅线和栅线引线的图案层下方的透明导电图案层、所述第一电极的图案层、以及所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极图案层上方的部分金属薄膜；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2的构图工艺包括：

在所述有源层薄膜上涂覆光刻胶；

采用第二灰色调掩膜板或第二半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述有源层的图案层的区域，所述光刻胶完全去除部分对应待形成的所述第一过孔的区域和所述第二过孔的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述有源层薄膜和所述绝缘薄膜，形成所述带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述栅绝缘层上方的部分有源层薄膜，形成所述有源层的图案层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

4.根据权利要求2或3任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶半保留部分的光刻胶厚度为

5.一种阵列基板，包括：设置在基板上的包括第一电极图案层的第一电极层、包括栅极、栅线及栅线引线图案层的栅金属层、带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层、有源层、以及源漏金属层，其中所述第一过孔位于所述栅线引线上方；其特征在于，所述第一电极层还包括：设置于所述栅极、栅线及栅线引线图案层下方的透明导电图案层。

6.根据权利5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：带有第三过孔的钝化层，所述第三过孔露出位于所述钝化层下方的导电部分。

7.根据权利6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述钝化层上的第二电极层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5至7任一项所述的阵列基板。