[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有散热孔的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统半导体封装件包含封装体及芯片，其中封装体包覆芯片，而芯片提供半导体封装件的功能。然而，芯片会产生高热，且封装体的热传导性通常不佳，导致芯片周围温度过高而影响其工作效率。因此，如何驱散芯片的热量成为业界努力重点之一。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，一实施例中，半导体封装件具有散热孔可驱散其芯片的热量。

根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片、一封装体、一导电件及一屏蔽膜。芯片具有一主动面及一背面且包括一散热件，散热件从芯片的主动面延伸至芯片的背面。封装体包覆芯片且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一散热孔，散热孔从散热件延伸至封装体的上表面。导电件形成于芯片的主动面及封装体的下表面。屏蔽膜形成于封装体的上表面及外侧面并电性连接导电件。

根据本发明，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一暂时基板；形成一导电件于暂时基板上；设置一芯片于导电件上，其中芯片具有一主动面及一背面且包括一散热件，散热件从芯片的主动面延伸至芯片的该背面；形成一封装体包覆芯片及导电件，封装体具有相对的一上表面及一下表面；形成一散热孔从封装体的上表面延伸至散热件；形成一切割道经过封装体，使封装体形成一外侧面；以及，形成一屏蔽膜覆盖封装体的上表面及外侧面，并与导电件电性连接。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图1B绘示图1A的俯视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4B绘示图4A的俯视图。

图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5B绘示图5A的俯视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图7，其绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图8绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图9A至9G绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。

图10A至10C绘示图2的半导体封装件的制造过程图。

图11A至11G绘示图3的半导体封装件的制造过程图。

图12A至12F绘示图4A的半导体封装件的制造过程图。

图13A至13C绘示图5A的半导体封装件的制造过程图。

图14A至14B绘示图8的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500、600、700、800：半导体封装件

110：芯片

110a：主动面

110b：背面

111、471：散热件

120：封装体

120s、120s1、120s2、130s、140s、360s、470s、472s：外侧面

120u、130u、470u：上表面

120b、140b、470b：下表面

121：散热孔

1211：贯孔

1212：热导材料

130：导电件

140：屏蔽膜

150：焊球

151：信号焊球

152：接地焊球

153：散热焊球

360：导电架

470：基板

472：接地件

480：焊线

170：暂时基板

P、P1、P2：切割道

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括芯片110、封装体120、导电件130、屏蔽膜140及焊球150。

芯片110具有相对的主动面110a与背面110b，芯片110以其主动面110a朝下方位设于导电件130上，且直接或间接接触于导电件130，藉以通过导电件130电性连接于焊球150。