[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一芯片，具有一主动面及一背面且包括一散热件，该散热件从该芯片的该主动面延伸至该芯片的该背面；

一封装体，包覆该芯片且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一散热孔，该散热孔从该散热件延伸至该封装体的该上表面；

一导电件，形成于该芯片的该主动面及该封装体的该下表面；以及

一屏蔽膜，形成于该封装体的该上表面及该外侧面并电性连接该导电件。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电件接垫或导电片。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

一导电架，设于该导电件上且具有一外侧面；

其中，该屏蔽膜形成该导电架的该外侧面，而通过该导电架电性连接于该导电件。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电件具有一上表面及一外侧面，该屏蔽膜具有一外侧面，该屏蔽膜更形成于该导电件的该上表面上，且该导电件的该外侧面与该屏蔽膜的该外侧面对齐。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电件具有一外侧面，该屏蔽膜形成于该导电件的该外侧面，且该导电件的该外侧面与该封装体的该外侧面对齐。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热件及该散热孔直线地延伸。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热件硅穿孔。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该散热件包括相连接的一横向延伸的层结构与一直向延伸的散热孔。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该屏蔽膜共形屏蔽膜。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

数个焊球，形成于该导电件上。

11.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一暂时基板；

形成一导电件于该暂时基板上；

设置一芯片于该导电件上，其中该芯片具有一主动面及一背面且包括一散热件，该散热件从该芯片的该主动面延伸至该芯片的该背面；

形成一封装体包覆该芯片及该导电件，该封装体具有相对的一上表面及一下表面；

形成一散热孔从该封装体的该上表面延伸至该散热件；

形成一切割道经过该封装体，使该封装体形成一外侧面；以及

形成一屏蔽膜覆盖该封装体的该上表面及该外侧面，并与该导电件电性连接。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中于形成该导电件于该暂时基板的步骤中，该导电件采用电镀方式形成。

13.如权利要求11所述的制造方法，更包括：

设置一导电架于该导电件上；

于形成该切割道经过该封装体的步骤中，该切割道更经过该导电架，使该导电架形成一外侧面；

于形成该屏蔽膜覆盖该封装体的该上表面及该外侧面的步骤中，该屏蔽膜更覆盖该导电架的该外侧面。

14.如权利要求11所述的制造方法，其中于形成该切割道经过该封装体的步骤中，该切割道经过整个该封装体及整个该导电件，使该导电件形成一外侧面；

于形成该屏蔽膜于该封装体的该上表面及该外侧面的步骤中，该屏蔽膜更形成于该导电件的该外侧面。

15.如权利要求11所述的制造方法，其中于形成该切割道经过该封装体的步骤中，该切割道经过该封装体直到露出该导电件；

于形成该屏蔽膜于该封装体的该上表面及该外侧面的步骤中，该屏蔽膜更形成于露出的该导电件上；

该制造方法更包括：

形成另一切割道切断该导电件。