[发明专利]一种新型场发射阴极的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型场发射阴极的制备方法。

背景技术

随着科技的发展和进步，场发射显示技术得到了极大关注，尤其是场发射阴极的结构和性能成为研究的热点，虽然目前市场上的场发射阴极种类繁多，但是目前方法制备的场发射阴极还存在着各种缺点和不足。

因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、性能良好的新型场发射阴极制备方法成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。

有益效果

本发明制备的氧化锌纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1小时，热处理温度为700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。

实施例2

该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理12小时，热处理温度为500℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。

实施例3

该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理7小时，热处理温度为600℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。