[发明专利]一种新型场发射阴极的制备方法无效
| 申请号： | 201210581364.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035456A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李岗;国欣鑫;张晓辉 | 申请（专利权）人： | 青岛艾德森能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 发射 阴极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其中热处理7小时，热处理温度为600℃。
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