[发明专利]一种高压半导体器件的终端结构及制备方法有效
| 申请号： | 201210580115.3 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022096B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体器件 终端 结构 制备 方法 | ||
1.一种高压半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于所述半导体衬底内的第二导电类型的掺杂区，位于所述半导体衬底表面部分区域上的隔离介质层，以及位于所述掺杂区表面的引出电极和所述隔离介质层表面部分区域上的场板，所述电极与所述场板相连，其特征在于，所述场板下方的隔离介质层包含多个相间设置的第一凹槽和第一凸起；所述场板具有与所述第一凹槽相配合的多个第二凸起以及与所述第一凸起配合的多个第二凹槽；所述第一凹槽的宽度与所述第一凹槽的深度之比值为1/2～2，所述第二凹槽的宽度与所述第一凹槽的深度之比值为1/2～2，所述第一凸起的宽度与所述第一凸起的深度之比值为1/2～2。
2.根据权利要求1所述的高压半导体器件的终端结构，其特征在于，所述隔离介质层的厚度范围为0.1～3μm。
3.根据权利要求1所述的高压半导体器件的终端结构，其特征在于，所述凹槽的深度是所述隔离介质层厚度的1/4～3/4。
4.一种高压半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供第一导电类型的半导体衬底；
步骤S02：在所述衬底表面形成隔离介质层；
步骤S03：在所述隔离介质层的部分区域内经光刻、刻蚀形成多个相间设置的第一凹槽和第一凸起；
步骤S04：经光刻、刻蚀，在所述衬底表面定义电极引出区；
步骤S05：在所述衬底内形成第二导电类型的掺杂区；
步骤S06：分别在所述掺杂区的表面和所述隔离介质层表面部分区域上形成电极和场板；所述场板具有与所述第一凹槽相配合的多个第二凸起以及与所述第一凸起配合的多个第二凹槽；所述第一凹槽的宽度与所述第一凹槽的深度之比值为1/2～2，所述第二凹槽的宽度与所述第一凹槽的深度之比值为1/2～2，所述第一凸起的宽度与所述第一凸起的深度之比值为1/2～2。
5.根据权利要求4所述的高压半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，所述隔离介质层的厚度范围为0.1～3μm。
6.根据权利要求4所述的高压半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度是所述隔离介质层厚度的1/4～3/4。
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