[发明专利]字线电压偏置电路在审

专利信息
申请号: 201210577055.X 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103077737A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C16/06
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电压 偏置 电路
【权利要求书】:

1.一种字线电压偏置电路,至少包括:

字线电压控制信号产生电路,用于产生连接驱动管的第一字线电压控制信号及第二字线电压控制信号,其电源负端接负压产生电路,以于读控制信号控制存储器读操作时,该字线电压控制信号产生电路产生的负压的该第一字线电压控制信号;以及

负压产生电路,连接于该字线电压控制信号产生电路,以于读操作时提供负压至该第一字线电压控制信号。

2.如权利要求1所述的字线电压偏置电路,其特征在于:该字线电压控制信号产生电路包括包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一缓冲器及第二缓冲器,其中该第一NMOS管、该第二NMOS管、该第三NMOS管、该第四NMOS管源极及该第一缓冲器均接于该负压产生电路,该第三NMOS管栅极接第一读控制信号,漏极接该第一缓冲器输入端,该第一缓冲器输出端输出该第一字线电压控制信号,该第四NMOS管栅极接第二读控制信号,漏极接该第二缓冲器输入端,该第二缓冲器输出端输出该第二字线电压控制信号,该第一PMOS管及该第二PMOS管漏极接电源正端,该第一PMOS管栅极与该第一NMOS管栅极互连,并与该第二PMOS管漏极、栅极连接,该第一PMOS管漏极与该第一NMOS管漏极相连并接于该第一缓冲器输入端,该第二PMOS管栅极与该第二NMOS管栅极互连,并接于该第一缓冲器输入端,该第二PMOS管漏极与该第二NMOS管漏极相连并接于该第二PMOS管栅极及该第二缓冲器输入端。

3.如权利要求2所述的字线电压偏置电路,其特征在于:该负压产生电路包括电荷泵、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及比较器,该电荷泵输出端接于该字线电压控制信号产生电路,并接于该第四PMOS管漏极,该第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管的栅极与漏极接在一起,衬底和源极接在一起,形成有源电阻,该第三PMOS管与该第五PMOS管源极接电源电压,该第六PMOS管漏极接地,该该第三PMOS管的源极与该第四PMOS管漏极相接,其中点被接至该比较器之正端,该第五PMOS管的漏极与该第六PMOS管的源极相接,其中点被接至该比较器的负端,该比较器输出端输出反馈信号至该电荷泵。

4.如权利要求3所述的字线电压偏置电路,其特征在于:设定该第三PMOS管、该第四PMOS管、该第五PMOS管P4及该第六PMOS管的宽长比,使该电荷泵输出稳定的负压。

5.如权利要求4所述的字线电压偏置电路,其特征在于:设定该第三PMOS管、该第四PMOS管、该第五PMOS管P4及该第六PMOS管的宽长比,使该电荷泵输出稳定在-0.1~0.3V。

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