[发明专利]一种透明导电 TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210574897.X | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103060782A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 范翊;刘星元;郭晓阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 tio sub ag 复合 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法。属于功能薄膜材料及薄膜光学领域。
背景技术
TiO2是一种宽禁带半导体,其禁带宽度一般为3.0-3.4 eV,广泛用于电致发光、太阳能电池、光催化等领域。目前已有TiO2透明导电薄膜为2005年Furubayashi等制备的Nb:TiO2薄膜,需要掺杂价格昂贵的过渡族金属元素铌。Ag膜在可见光区具有优异的反射性能,利用诱导透射原理,通过合理的TiO2匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果,成为TiO2/Ag/TiO2透明导电复合薄膜。TiO2/Ag/TiO2透明导电复合薄膜可以应用于低辐射玻璃、太阳能电池电极、平板显示器的透明电极以及电磁屏蔽等很多领域。
目前最常用的透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜是采用电子束蒸发或者溅射方法制备TiO2膜层,制备过程涉及多层膜之间的相互浸润、薄膜生长模式、温度等问题。Ag等贵金属与大多数金属氧化物的浸润性很差。而且在制备外层TiO2时,要通入氧气,衬底还需要加温,很容易导致Ag氧化,同时,制备过程中离子束轰击也会对Ag层的连续性造成破坏,发生结块团聚成岛状的不连续成膜现象,进而影响整个膜系的导电性和透过率,因此需要在Ag层和外层TiO2之间增加金属Ti阻挡层,而这会导致复合薄膜的导电性和透光性能下降,不利于应用。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足,利用掺杂和溶胶凝胶技术,提供一种成本低廉而性能优良的透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:掺杂TiO2薄膜的制备方法是通过在基底上先涂布一层掺杂TiO2溶胶-凝胶,然后制备Ag膜,再涂布一层掺杂TiO2溶胶-凝胶;低温烧结后得到导电性和透过率优良的TiO2/Ag/TiO2复合薄膜。具体包括以下步骤:
步骤1)将基底用洗洁精水溶液、无水乙醇、乙醚、丙酮、去离子水等清洗干净;
步骤2)将钛酸四丁酯和乙酸、无水乙醇搅拌混合,得到A溶液;将去离子水、无水乙醇、掺杂组分混合搅拌,得到B溶液;
步骤3)将步骤2)中B溶液滴加入A溶液中,搅拌混合均匀,形成溶胶;
步骤4)将步骤3)中得到的溶胶在室温下陈化24小时以上,得到溶胶-凝胶;
步骤5) 将步骤4)中溶胶-凝胶涂布在步骤1)的基底上;
步骤6) 将步骤5)得到的薄膜进行热处理,空气中热处理温度50-300度,保温时间为10-30分钟,自然冷却;
步骤7) 将步骤6)中得到的薄膜放入电子束设备中蒸发一层Ag膜;
步骤8) 将步骤4)中溶胶-凝胶涂布在步骤7)得到的薄膜上;
步骤9) 将步骤8)得到的薄膜进行热处理,空气中热处理温度50-300度,保温时间为10-30分钟,自然冷却。
上述技术方案中,在步骤1)中,所述基底为玻璃、石英、硅片或者有机膜;
上述技术方案中,所述步骤2)中钛酸四丁酯、无水乙醇、去离子水、乙酸的任意一种在总体积中的混合比例为0.5%-80%。
上述技术方案中,所述步骤2)中掺杂组分可以是Al、W、V、Nd、F的水溶性化合物中的一种、二种或三种。两种化合物混合时,每一种化合物的混合比例为0.5-60%;三种化合物混合时,每一种化合物的混合比例为0.5-50%。
上述技术方案中,在步骤6)、步骤9)中得到的TiO2薄膜厚度为10-50 nm。
上述技术方案中,在步骤7)中,Ag膜厚度为8-16 nm。
本发明的透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法具有以下的有益效果:
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