[发明专利]一种超净擦拭布的生产方法有效
申请号: | 201210574599.0 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103015081A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 张钧 | 申请(专利权)人: | 东莞市硕源电子材料有限公司 |
主分类号: | D06B1/02 | 分类号: | D06B1/02;D06B1/14;D06B9/00;A47L1/15;A47L13/16;D06L1/20 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人: | 张萍 |
地址: | 523000 广东省东莞市万*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 擦拭 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种擦拭布的技术领域,特别涉及一种超净擦拭布的生产方法。
背景技术
擦拭布表面柔软,易于擦拭敏感表面,摩擦不脱纤维,具有良好的吸水性及清洁效率,擦拭布由于上述优点而得到广泛的应用,如广泛应用于半导体芯片、微处理器等生产线,碟盘驱动器,复合材料,LCD显示类产品,线路板生产线,精密仪器,光学产品,航空工业,PCB产品,医疗设备,实验室,无尘车间等领域中。一直以来,非挥发性残留物和尘粒残留物是影响擦拭布应用的重要因素,非挥发性残留物的残留量(即NVR值)和尘粒残留物的残留量(即LPC值)直接影响着无尘布的应用范围,如在光学产业中,如果擦拭布的NVR值过高,会影响光线的透过率,发射效率降低,从而引起设备的能耗高,稳定性差,显示品质差等多方面的问题。高端产业一般需要确保擦拭布的NVR值不大于0.05mg/g,而LPC值不大于50counts/cm2。而影响擦拭布的洁净度的关键工序是对织造好的坯布进行漂洗工序,现有的漂洗工序一般使用普通的井水、河水或自来水来进行漂洗,普通的井水、河水或自来水含有大量离子和杂质,在漂洗过程中,对于洁净布的洁净度提升效果有限。改进过的漂洗工序一般为:在溢流洗缸中注入纯水,并添加一些化学洗涤剂来对坯布进行间歇式循环漂洗,由于溢流机本身的缺点以及用水洁净不高,这样生产出来的擦拭布洁净度参差不齐,生产质量难以保证,难以确保擦拭布的NVR值不大于0.05mg/g,LPC值不大于50counts/cm2。洁净度低的擦拭布的除污能力弱、长期使用则会对设备、敏感材料等造成损害,甚至威胁到设备及材料的使用寿命。
因此,如何实现一种洁净度高、质量稳定、生产工序简便高效的超净的擦拭布是业内亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种超净擦拭布的生产方法,旨在实现一种洁净度高、质量稳定、生产工序简便高效的超净的擦拭布。
本发明提出一种超净擦拭布的生产方法,包括以下步骤:
A、选丝:选用AA质量等级以上的连续长丝纱线,纱线的含油率小于1.5%;
B、织造:将A步骤中的纱线织造成坯布,织造工序在ISO0级至ISO9级环境中进行,织造采用28针至42针的织法,或者双面针织,或者采用1/1、1/2、1/3的织法,或者结合上述织造方法中的2种或3种织法进行机织。
C、通过漂洗工序去除低聚物及尘粒:将B步骤中的坯布循环通过高温纯水的清洗,煮炼漂洗设备采用清洗无反向污染的气流漂洗机,漂洗温度设置为80℃至130℃,添加入可去除低聚物的表面活性剂、酶催化剂、碳酸钠、过氧碳酸钠、氢氧化钠等除油助剂,其中表面活性剂的添加量为0.1%至0.8%,碳酸钠的添加量为0.2%至1%,过氧碳酸钠的添加量为0.2%至1%,氢氧化钠的添加量为5g/L至20g/L,坯布与洗液的浴比的设置范围为1∶3至1∶10,高温条件下利用气流漂洗机将坯布上的低聚物及尘粒去除;
D、脱水:采用旋转离心净化脱水机对已去除低聚物及尘粒的坯布进行脱水操作并脱除坯布纤维表面的离子、尘粒和其他脏污,旋转离心净化脱水机的脱水部位采用316不锈钢制成,脱水转速为350-600rpm,
E、定型:在ISO8级以上的环境下,采用无尘无硅油定型机对坯布进行定型处理,定型模式采用全封闭模式,定型温度的范围为160℃至210℃,定型速度为30m/min至60m/min;
F、切割:将经过定型后的坯布置入ISO7级以上的无尘室内,对坯布进行超音波切割或激光切割或热切割以及热切割,坯布初步成型成为擦拭布;
G、清洗:在ISO5级以上环境下,对切割后的擦拭布进行清洗操作,采用滚筒清洗或喷射清洗,擦拭布与清洗液的浴比的设置范围为1∶10至1∶20,清洗次数为3至5次,每次5至10分钟;
H、烘干:对清洗后的擦拭布进行烘干操作,烘干温度为70℃至95℃,采用净化热气喷射工艺烘干或采用滚筒来烘干;
I、包装:包装工序在环境等级ISO5级以上的无尘室中进行,在环境等级ISO4级以上的无尘室中进行为佳。
优选地,B步骤中的坯布的经纬密为:经密:150根/英寸至230根/英寸,其中最佳经密为180根/英寸,纬密:80根/英寸至120根/英寸,其中最佳纬密为100根/英寸。
优选地,C步骤的水洗环境为ISO8级以上的环境,纯水采用纯净水或RO水或超纯水,纯水电阻在18M欧姆以上。C步骤中高温纯水清洗的循环次数为5至12次。
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