[发明专利]像素阵列的测试电路、测试方法及显示面板、显示器有效

专利信息
申请号: 201210574325.1 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103268743A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 夏军;周莉 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G09F9/35
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘松
地址: 361101 福建省厦门市火*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 阵列 测试 电路 方法 显示 面板 显示器
【权利要求书】:

1.一种像素阵列的测试电路,其特征在于,包括:

M个薄膜场效应晶体管MOS开关,每一所述MOS开关的源极/漏极与像素阵列的数据线电性连接;

N个第一测试衬垫,用于输入测试控制信号分别控制所述M个MOS开关通断,每一所述第一测试衬垫与至少一个所述MOS开关的栅极电性连接;

K个第二测试衬垫,用于输入数据信号,每一所述第二测试衬垫与至少一个所述MOS开关的漏极/源极电性连接;

P个集成电路元件IC衬垫,至少一个所述IC衬垫包括至少两个子衬垫,所述IC衬垫中的所述至少两个子衬垫分别与所述M个MOS开关中相同数目的所述MOS开关的栅极一一对应电性连接;其中,M为大于等于2的整数,N、K和P均为大于等于1的整数。

2.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述MOS开关的数量与所述数据线的数量相同,所述数据线分别与所述MOS开关的源极/漏极一一对应电性连接。

3.如权利要求2所述的测试电路,其特征在于,所述M个MOS开关分为N组,每一组内所有MOS开关的栅极电连接在一起,所述N个第一测试衬底分别与N组MOS开关的栅极一一对应电性连接。

4.如权利要求3所述的测试电路,其特征在于,所述M个MOS开关的漏极/源极均连接至同一第二测试衬垫。

5.如权利要求3所述的测试电路,其特征在于,所述M个MOS开关的漏极/源极分为K组,所述K个第二测试衬垫分别与所述K组MOS开关的漏极/源极一一对应电性连接。

6.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述测试电路包括一个所述IC衬垫,所述子衬垫是由所述一个IC衬垫对应划分的。

7.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述测试电路包括至少两个所述IC衬垫,每一所述IC衬垫包括至少两个子衬垫,所述至少两个IC衬垫共用至少一个子衬垫。

8.如权利要求1至7所述任意一项所述的测试电路,其特征在于,所述MOS开关为N沟道增强型场效应晶体管N-MOS,所述IC衬垫是低电位信号衬垫。

9.如权利要求1至7所述任意一项所述的测试电路,其特征在于,所述MOS开关为P沟道增强型场效应晶体管P-MOS,所述IC衬垫是高电位信号衬垫。

10.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述子衬垫的形状为三角形或矩形或梯形。

11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至6任一项所述的的测试电路。

12.如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括IC芯片,一个所述IC衬垫中所包含所有测试衬垫同时与同一个IC芯片端口对应电性连接。

13.一种显示器,其特征在于,所述显示器包括如权利要求11或12所述的显示面板。

14.一种利用如权利要求1所述的测试电路测试像素阵列的方法,其特征在于,步骤如下:

通过部分或全部N个第一测试衬垫输入测试控制信号使与之对应的所述MOS开关导通;

通过所述第二测试衬垫输入数据信号,使导通的MOS开关的源极/漏极电性连接的数据线对应的像素正常显示,并进行像素阵列测试。

15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,像素阵列测试完成后,将集成电路元件IC芯片压合至所述IC芯片对应的IC衬垫,使属于同一所述IC衬垫的各个子衬垫电性连接的所述MOS开关的栅极短接。

16.如权利要求15所述的测试电路,其特征在于,所述IC衬垫是低电位信号衬垫,IC芯片压合至所述IC芯片对应的IC衬垫后,通过所述IC衬垫输入低电位使属于所述IC衬垫的各个子衬垫电性连接的所述MOS开关关闭;或者,

所述IC衬垫是高电位信号衬垫,IC芯片压合至所述IC芯片对应的IC衬垫后,通过所述IC衬垫输入高电位使属于所述IC衬垫的各个子衬垫电性连接的MOS开关关闭。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司,未经厦门天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210574325.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top