[发明专利]显示面板的阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示面板的阵列基板及其制作方法，特别是涉及一种可减少一道微影和蚀刻工艺（photolithography and etching process，以下简称为PEP）的显示面板的阵列基板及其制作方法。

背景技术

平面显示器，例如液晶显示器，由于具有轻薄短小、低辐射与低耗电等特性，已取代传统的阴极射线管（cathode ray tube，CRT）显示器，并成为显示器的主流。在显示器的发展上，不断朝着高分辨率要求的方向发展。然而，随着分辨率的提高，面板上薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）的数量也随之提高，使得面板上的可利用空间不断缩小。同时，为了改善开口率与薄膜晶体管的效能，在工艺设计上更增加了PEP的次数。然而，可利用空间的缩小以及PEP次数的提高，导致工艺控制的困难度与成本持续升高，而不利于显示面板的制作与发展，也因此现今显示器的制作方法莫不以减少PEP次数为重要的发展目标。

由此可知，目前仍需要一种可降低工艺困难度与工艺成本，同时可有效改善平坦层前后膜层电性连接的像素结构及其制作方法。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种显示面板的阵列基板及其制作方法，以降低工艺困难度与工艺成本，同时提高显示面板的良率。

为达上述目的，本发明提供制作显示面板的阵列基板的方法。上述方法包括下列步骤。首先提供基板，基板具有像素区与周边区，基板的像素区内形成有至少一薄膜晶体管，且薄膜晶体管包含栅极电极、源极电极与漏极电极，基板的周边区内则形成有至少一连接电极。接下来于基板上依序形成第一保护层与平坦层，第一保护层覆盖薄膜晶体管与连接电极，平坦层覆盖第一保护层。平坦层具有第一开口与第二开口，第一开口对应于漏极电极并暴露出漏极电极上的部分第一保护层，第二开口则对应于连接电极并暴露出连接电极上的部分第一保护层。随后，于平坦层上形成第一图案化透明导电层，且第一图案化透明导电层包括共通电极。在形成第一图案化透明导电层之后，于第一图案化透明导电层与平坦层上形成第二保护层，并于第二保护层上形成光阻图案层。光阻图案层暴露出第一开口内与第二开口内的部分第二保护层，以及暴露出对应于共通电极的部分第二保护层。接下来，蚀刻光阻图案层所暴露出的第二保护层，以于第二保护层内形成第三开口、第四开口与第五开口，第三开口暴露第一开口内的部分第一保护层，第四开口暴露出第二开口内的部分第一保护层，第五开口则暴露出部分共通电极。而在形成第三开口、第四开口与第五开口后，蚀刻第三开口与第四开口所暴露出的第一保护层，以于第一保护层中形成第六开口与第七开口，第六开口暴露出部分漏极电极，而第七开口则暴露出部分连接电极。接下来，移除光阻图案层，随后于第二保护层上形成第二图案化透明导电层。第二图案化透明导电层包含桥接电极位于基板的周边区内，以及像素电极位于基板的像素区内，桥接电极经由第五开口与第七开口电性连接共通电极与连接电极，像素电极则经由第六开口电性连接漏极电极，且像素电极与桥接电极电性分离。

为达上述目的，本发明另提供一种显示面板的阵列基板。上述显示面板的阵列基板包括具有像素区与周边区的基板、至少一设置于基板的像素区内的薄膜晶体管、至少一设置于基板的周边区内的连接电极、设置于基板上并覆盖薄膜晶体管与连接电极的第一保护层、设置于第一保护层上的平坦层、设置于平坦层上的共通电极、设置于共通电极与平坦层上的第二保护层、设置于第二保护层上并位于基板的周边区内的桥接电极以及设置于第二保护层上并位于基板的像素区内的像素电极。薄膜晶体管包含栅极电极、源极电极与漏极电极。第一保护层具有第六开口与第七开口，第六开口暴露部分漏极电极而第七开口暴露部分连接电极。平坦层包含第一开口与第二开口，第一开口对应于第六开口并暴露出部分漏极电极，第二开口对应于第七开口并暴露出部分连接电极。第二保护层具有第三开口、第四开口与第五开口，第三开口对应于第一开口并暴露出部分漏极电极，第四开口对应于第二开口并暴露出部分连接电极，第五开口则暴露出部分共通电极。桥接电极经由第五开口与第七开口电性连接共通电极与连接电极；而像素电极经由第六开口电性连接漏极电极。

附图说明

图1至图8为本发明的一实施例所提供的制作显示面板的阵列基板的方法的示意图，其中图1为本实施例提供的阵列基板的俯视示意图，而图2至图8则示出了图1中沿A-A’剖线与B-B’剖线所得的剖面示意图；

图9至图10为本发明的另一实施例所提供的制作显示面板的阵列基板的方法的示意图。

附图标记