[发明专利]显示面板的阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201210570674.6 | 申请日: | 2012-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN103151304A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
| 发明(设计)人: | 黄郁涵;黄德群;黄国有 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板具有一像素区与一周边区,该基板的该像素区内形成有至少一薄膜晶体管,且该薄膜晶体管包含一栅极电极、一源极电极与一漏极电极,该基板的该周边区内形成有至少一连接电极;
于该基板上依序形成一第一保护层与一平坦层,该第一保护层覆盖该薄膜晶体管与该连接电极,该平坦层覆盖该第一保护层,该平坦层具有一第一开口与一第二开口,该第一开口对应于该漏极电极并暴露出该漏极电极上的部分该第一保护层,该第二开口对应于该连接电极并暴露出该连接电极上的部分该第一保护层;
于该平坦层上形成一第一图案化透明导电层,其中该第一图案化透明导电层包括一共通电极;
于该第一图案化透明导电层与该平坦层上形成一第二保护层;
于该第二保护层上形成一光阻图案层,该光阻图案层暴露出该第一开口内与该第二开口内的部分该第二保护层,以及暴露出对应于该第一图案化透明导电层的部分该第二保护层;
蚀刻该光阻图案层所暴露出的该第二保护层,以于该第二保护层内形成一第三开口、一第四开口与一第五开口,该第三开口暴露该第一开口内的部分该第一保护层、该第四开口暴露出第二开口内的部分该第一保护层,该第五开口暴露出部分该共通电极;
蚀刻该第三开口与第四开口所暴露出的该第一保护层,以于该第一保护层中形成一第六开口与一第七开口,该第六开口暴露出部分该漏极电极,且该第七开口暴露出部分该连接电极;
移除该光阻图案层;以及
于该第二保护层上形成一第二图案化透明导电层,该第二图案化透明导电层包含一桥接电极位于该基板的该周边区内,以及一像素电极位于该基板的该像素区内,该桥接电极经由该第五开口与该第七开口电性连接该共通电极与该连接电极,该像素电极经由该第六开口电性连接该漏极电极,且该像素电极与该桥接电极电性分离。
2.根据权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,蚀刻该第一保护层以及蚀刻该第二保护层使用同一该光阻图案层。
3.根据权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,蚀刻该第一保护层以及蚀刻该第二保护层是在同一道微影蚀刻工艺中完成。
4.根据权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,蚀刻该第一保护层以及蚀刻该第二保护层使用相同光罩。
5.根据权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,形成该薄膜晶体管的步骤还包括:
于该基板上形成该栅极电极与一覆盖该栅极电极的绝缘层;
于该绝缘层上形成该源极电极与该漏极电极;以及
于该绝缘层上形成一图案化半导体层与一图案化保护层。
6.根据权利要求5所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,该图案化半导体层包含一图案化氧化物半导体层。
7.根据权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,形成该薄膜晶体管的步骤包括:
于该基板上形成该栅极电极与一覆盖该栅极电极的绝缘层;
于该绝缘层上形成一图案化半导体层;以及
于该绝缘层与该图案化半导体层上形成该源极电极与该漏极电极。
8.根据权利要求7所述的制作显示面板的阵列基板的方法,其特征在于,该图案化半导体层包括一图案化非晶硅半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





