[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，现有的薄膜晶体管（TFT）阵列基板中的TFT器件，如图1所示，是由依次设置在衬底基板上的栅极1、有源层3、源电极4和漏电极5组成；其中，栅极1通过栅绝缘层2与有源层3隔离，源电极4和漏电极5同层设置通过一次构图工艺形成，源电极4和漏电极5相对而置，在源电极4和漏电极5之间与栅极1正对的区域形成水平沟道结构，源电极4与数据线电性相连，漏电极5通过钝化层6中的过孔与像素电极7电性相连。在栅极1加载栅扫描信号时，在栅极1上方的有源层3会从半导体状态变为导体状态，在有源层3面向绝缘层2的表面会形成一条电流通道，该电流通道与源电极4和漏电极5之间形成的水平沟道结构相对，通过该电流通道可以将数据线加载到源电极4的电信号通过漏电极5流动到像素电极7上，使像素单元处于开启状态。

从上述现有的TFT阵列基板的结构可以看出，栅极1加载的栅扫描信号越大，在有源层层3形成的电流通道的导通电流量也就越大，数据线加载的电信号就能好的控制像素电极7，实现显示的高画面品质。但是，在实际操作时，受到显示面板功耗的制约，在栅极1施加栅扫描信号的电压往往不能过大。那么，为了提高有源层3形成的电流通道a的导通电流量，就需要采用变更TFT结构扩大整体面积的方式，即水平沟道结构的大小在一定程度上制约着在有源层3中形成的电流通道的导通电流量，设置较大的水平沟道结构可以提升电流通道的导通电流量，这样势必带来像素单元开口率下降的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，用以实现在不增大TFT器件面积的情况下，尽量增大TFT器件的导通电流量。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板上的第一电极；

形成于所述第一电极上的第一绝缘层；

形成于所述第一绝缘层上的栅极；

形成于所述栅极上的第二绝缘层；

贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的有源层，所述有源层与所述栅极相互绝缘；

形成于所述有源层上的第二电极，所述第二电极通过所述有源层与位于下层的所述第一电极连接；其中，

所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极；或所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括本发明实施例提供的薄膜晶体管。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基板。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成栅极；

在所述栅极上形成第二绝缘层，并通过一次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；

在所述贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔中形成有源层，所述有源层与所述栅极相互绝缘；

在所述有源层上形成第二电极，所述第二电极通过所述有源层与位于下层的所述第一电极连接；其中，

所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极；或所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，将TFT器件中的源电极和漏电极之间形成的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，并将栅极与垂直沟道结构设置在同一水平面上，这样，当栅极加载栅扫描信号时，在有源层与栅极相邻的一侧形成垂直于衬底基板的电流通道，电流通道将与有源层连接的第一电极和第二电极导通，使TFT器件处于开启状态。由于可以通过控制栅极在垂直方向的厚度的方式，实现增加垂直沟道结构的长度，以提升TFT器件的导通电流量，从而提高TFT器件的性能。并且，将TFT结构中的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，也能减小TFT器件在基板上占用的面积，有助于提高像素单元的开口率。

附图说明

图1为现有技术中TFT阵列基板中的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的TFT的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制备方法的流程图。

具体实施方式