[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板上的第一电极；

形成于所述第一电极上的第一绝缘层；

形成于所述第一绝缘层上的栅极；

形成于所述栅极上的第二绝缘层；

贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的有源层，所述有源层与所述栅极相互绝缘；

形成于所述有源层上的第二电极，所述第二电极通过所述有源层与位于下层的所述第一电极连接；其中，

所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极；或所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体材料，所述第一绝缘层和第二绝缘层为无机绝缘材料。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的厚度为50nm-500nm。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为非晶硅、多晶硅或微晶硅材料，所述第一绝缘层和第二绝缘层为有机绝缘材料。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的厚度为0.5um-2.5um。

6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度为10nm-2000nm。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

形成于第二电极上的像素电极，所述像素电极与所述第二电极连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

形成于第二电极和所述像素电极之间的钝化层，所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与所述第二电极连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的阵列基板。

11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成栅极；

在所述栅极上形成第二绝缘层，并通过一次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；

在所述贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔中形成有源层，所述有源层与所述栅极相互绝缘；

在所述有源层上形成第二电极，所述第二电极通过所述有源层与位于下层的所述第一电极连接；其中，

所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极；或所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。